[发明专利]一种具有缺陷g-C3

权利要求书

1.一种具有缺陷g-C₃N₄纳米片光催化剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)称取三聚氰胺，放置于坩埚中，在马弗炉中升温煅烧，结束后自然冷却至室温，研磨成粉末；

2)取步骤1)获得的粉末样品，放置于磁舟中，在马弗炉中再次升温煅烧，结束后自然冷却至室温，研磨成粉末，得到所述具有缺陷g-C₃N₄纳米片光催化剂。

2.根据权利要求1所述的具有缺陷g-C₃N₄纳米片光催化剂的制备方法，其特征在于，步骤1)中，升温速率为2℃/min，煅烧温度为500-580℃，煅烧时间为1-6h。

3.根据权利要求2所述的具有缺陷g-C₃N₄纳米片光催化剂的制备方法，其特征在于，步骤1)中，升温速率为2℃/min，煅烧温度为520℃，煅烧时间为2h。

4.根据权利要求1所述的具有缺陷g-C₃N₄纳米片光催化剂的制备方法，其特征在于，步骤2)中，升温速率为5℃/min，煅烧温度为480-620℃，煅烧时间为1-6h。

5.根据权利要求4所述的具有缺陷g-C₃N₄纳米片光催化剂的制备方法，其特征在于，步骤2)中，升温速率为5℃/min，煅烧温度为600℃，煅烧时间为4h。

6.权利要求1-5中任意一项所述的制备方法制备得到的具有缺陷g-C₃N₄纳米片光催化剂。

7.权利要求6所述的具有缺陷g-C₃N₄纳米片光催化剂在光催化降解水体污染物中的应用。