[发明专利]基于多周期有机异质结超厚传输层的底发射器件

权利要求书

1.一种基于多周期有机异质结超厚传输层的底发射器件，其特征在于，由衬底、非金属电极、传输层、发光层、注入层、多周期有机异质结超厚传输层、金属电极从下到上依次叠加组成；

所述多周期有机异质结超厚传输层，用于充当超厚电子或空穴传输层；

单周期有机异质结超厚传输层为n型有机半导体和p型有机半导体构成的双层有机半导体异质结；

所述n型有机半导体为HAT-CN，所述p型有机半导体为三芳胺类材料。

2.根据权利要求1所述的基于多周期有机异质结超厚传输层的底发射器件，其特征在于，所述多周期有机异质结超厚传输层的厚度超过150nm，所述单周期有机异质结超厚传输层的厚度为20～50nm，周期数为3个周期及以上。

3.根据权利要求2所述的基于多周期有机异质结超厚传输层的底发射器件，其特征在于，所述n型有机半导体和p型有机半导体厚度均为10、12.5、15、17.5、20、22.5或25nm。

4.根据权利要求3所述的基于多周期有机异质结超厚传输层的底发射器件，其特征在于：所述双层有机半导体异质结中的n型有机半导体和发光层相邻，或者通过注入层将电子注入发光层。

5.根据权利要求4所述的基于多周期有机异质结超厚传输层的底发射器件，其特征在于：所述双层有机半导体异质结中的p型有机半导体直接和发光层相邻，或者通过注入层将空穴注入发光层。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的基于多周期有机异质结超厚传输层的底发射器件，其特征在于，所述底发射器件为正向底发射器件时，所述传输层为空穴传输层，所述注入层为电子注入层，所述非金属电极为非金属阳极，所述金属电极为金属阴极。

7.根据权利要求1-5任意一项所述的基于多周期有机异质结超厚传输层的底发射器件，其特征在于，所述底发射器件为反型底发射器件时，所述传输层为电子传输层，所述注入层为空穴注入层，所述非金属电极为非金属阴极，所述金属电极为金属阳极。