[发明专利]避免电路短路的改良多晶硅虚置技术

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，包含：

主动单元，包含有第一金属接触件以及第二金属接触件；

第一栅极线，位于该主动单元内，并且位于该第一金属接触件以及该第二金属接触件旁；

第二栅极线，距离位于该主动单元内的该第一栅极线第一距离；

虚置边缘单元，位于该主动单元旁；

第一虚置栅极线，位于该虚置边缘单元内，并且位于该第一金属接触件以及该第二金属接触件旁；以及

第二虚置栅极线，距离位于该虚置边缘单元内的该第一虚置栅极线第二距离，其中该第一栅极线距离该第一虚置栅极线第三距离，且该第三距离与该第一距离不同，

其中该第一虚置栅极线通过栅极空槽图案在该第一金属接触件与该第二金属接触件之间的至少一位置处受到区段化。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该主动单元中还包含至少一个以上鳍状晶体管。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第三距离大于该第一距离。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第三距离大于该第二距离。

5.一种形成半导体元件的方法，包含：

沉积栅极层于基板上；

根据栅极空槽图案以及栅极线图案图案化该栅极层，以在主动单元内形成第一栅极线以及第二栅极线，以及在虚置边缘单元内形成第一虚置栅极线与第二虚置栅极线；以及

在该主动单元内形成第一金属接触件以及第二金属接触件，该第一栅极线位于该第一金属接触件以及该第二金属接触件旁，且位于主动单元内的该第一栅极线距离该主动单元内的该第二栅极线第一距离，该第一虚置栅极线位于该第一金属接触件与该第二金属接触件旁，且位于该虚置边缘单元内该第一虚置栅极线距离位于该虚置边缘单元内的该第二虚置栅极线有第二距离，另外，该第一栅极线距离该第一虚置栅极线第三距离，且该第三距离与该第一距离大小不同，其中该第一虚置栅极线通过栅极空槽图案在该第一金属接触件与该第二金属接触件之间的至少一位置处受到区段化。

6.如权利要求5所述的方法，其中该第三距离大于该第一距离。

7.如权利要求5所述的方法，其中该第三距离大于该第二距离。

8.如权利要求5所述的方法，其中先根据该栅极空槽图案以图案化该栅极层，然后才根据该栅极线图案以图案化该栅极层。

9.如权利要求5所述的方法，其中先根据该栅极线图案以图案化该栅极层，然后才根据该栅极空槽图案以图案化该栅极层。