[发明专利]半导体装置以及半导体模块

权利要求书

1.一种半导体装置，其中，具有：

半导体基板，由硅构成且包括第一导电型的杂质；

低浓度杂质层，形成于所述半导体基板的正面，并且与所述半导体基板的正面接触，包括比所述半导体基板的所述第一导电型的杂质的浓度低的浓度的所述第一导电型的杂质；

背面电极，形成于所述半导体基板的背面，并且与所述半导体基板的背面接触，由金属材料构成；

第一纵型MOS晶体管，形成于所述低浓度杂质层内的第一区域；以及

第二纵型MOS晶体管，形成于所述低浓度杂质层内的与所述第一区域邻接的第二区域，

所述第一区域与所述第二区域的边界在所述半导体基板的第一方向上延伸，

所述半导体基板被所述边界二分割为在与所述第一方向交叉的第二方向上排列的所述第一区域和所述第二区域，

所述第一纵型MOS晶体管在所述低浓度杂质层的正面具有多个第一源极电极以及第一栅极电极，

所述第二纵型MOS晶体管在所述低浓度杂质层的正面具有多个第二源极电极以及第二栅极电极，

所述半导体基板作为所述第一纵型MOS晶体管的第一漏极区域以及所述第二纵型MOS晶体管的第二漏极区域的共同漏极区域发挥功能，

作为所述多个第一源极电极中的一个的第三源极电极与作为所述多个第二源极电极中的一个的第四源极电极分别是相对于所述第一区域与所述第二区域的所述边界最近的源极电极，并且沿着所述边界的全区域而配置。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第三源极电极与所述第四源极电极之间的间隔比所述第三源极电极的宽度以及所述第四源极电极的宽度都窄。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第三源极电极与所述第四源极电极之间的间隔比所述第三源极电极的宽度以及所述第四源极电极的宽度都宽。

4.一种半导体装置，其中，具有：

半导体基板，由硅构成且包括第一导电型的杂质；

低浓度杂质层，形成于所述半导体基板的正面，并且与所述半导体基板的正面接触，包括比所述半导体基板的所述第一导电型的杂质的浓度低的浓度的所述第一导电型的杂质；

背面电极，形成于所述半导体基板的背面，并且与所述半导体基板的背面接触，由金属材料构成；

第一纵型MOS晶体管，形成于所述低浓度杂质层内的第一区域；以及

第二纵型MOS晶体管，形成于所述低浓度杂质层内的与所述第一区域邻接的第二区域，

所述第一纵型MOS晶体管在所述低浓度杂质层的正面具有第一源极电极以及第一栅极电极，

所述第二纵型MOS晶体管在所述低浓度杂质层的正面具有第二源极电极以及第二栅极电极，

所述半导体基板作为所述第一纵型MOS晶体管的第一漏极区域以及所述第二纵型MOS晶体管的第二漏极区域的共同漏极区域发挥功能，

所述第一源极电极包括：在所述第一区域和所述第二区域的边界、与所述第一区域的所述边界的对置端即第一对置端之间，在与所述边界交叉的方向上排列的多个第一源极电极，

所述第一栅极电极配置于所述第一对置端的与所述边界平行的方向上的中央附近、且由一对所述第一源极电极在与所述边界平行的方向上夹着的位置，

所述第一栅极电极的中心点位于比所述第一区域的离所述边界最远的第一源极电极的相对于所述边界的近端更靠所述第一对置端一侧的位置，

所述第二源极电极包括：在所述边界、与所述第二区域的所述边界的对置端即第二对置端之间，在与所述边界交叉的方向上排列的多个第二源极电极，

所述第二栅极电极配置于所述第二对置端的与所述边界平行的方向上的中央附近、且由一对所述第二源极电极在与所述边界平行的方向上夹着的位置，

所述第二栅极电极的中心点位于比所述第二区域的离所述边界最远的第二源极电极的相对于所述边界的近端更靠所述第二对置端一侧的位置。

5.一种半导体模块，其中，具备：

印刷布线基板；

布线图案，在所述印刷布线基板上被设置为带状，由与长边方向交叉的间隙分离为第一部分和第二部分；以及

权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，配置在所述间隙上，

所述半导体装置以第一区域和第二区域在所述布线图案的长边方向上排列的朝向配置，

第一源极电极以及第二源极电极分别连接于所述布线图案的所述第一部分以及所述第二部分。