[发明专利]一种实现低角度依赖高光吸收和稳定柔性接触的柔性光电子器件设计方法及光探测器在审
申请号: | 202011142518.0 | 申请日: | 2020-10-23 |
公开(公告)号: | CN113013265A | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 田军龙;刘思祥;吴澍;罗敏媛 | 申请(专利权)人: | 湘潭大学 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/0392;H01L31/101;H01L31/18;B82Y15/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 411105 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 实现 角度 依赖 光吸收 稳定 柔性 接触 光电子 器件 设计 方法 探测器 | ||
1.一种具有准球对称特性的发散状低角度光捕获结构以实现高性能柔性自给能光探测器及其制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1:具有准球对称特性的发散状低角度光捕获结构微纳球制备;
S2:于所述具有准球对称特性的发散状低角度光捕获结构微纳球上化学或物理沉积半导体纳米材料得到半导体光电微纳球;
S3:于S2所述准球对称特性的发散状微纳光电微纳球,通过物理或化学成膜技术,制备光电薄膜;
S4:于S3所述光电薄膜构建非对称电极,通过非对称电极实现自给能特性;
S5:于S4所述构建非对称电极后的光电薄膜结合透明柔性材料,其作用一进行封装保护,其目的二实现器件柔性弯曲。
2.根据权利要求1所述的具有准球对称特性的发散状低角度光捕获结构以实现高性能柔性自给能光探测器及其制备方法,其特征在于,所述步骤S1进一步包括:通过湿化学法将二维片状半导体光电材料自组装成具有准球对称特性的发散状低角度光捕获结构的准球对称发散状纳米球。
S21:选取一半导体光电材料,利用是化学法合成微纳二维片状结构材料,于此同时自组装成准球对称发散状微纳球。
3.根据权利要求1所述的具有准球对称特性的发散状低角度光捕获结构以实现高性能柔性自给能光探测器及其制备方法,其特征在于,所述步骤S1进一步包括:选取一生物模板材料,进行前处理及活化处理,通过阳极氧化或纳米颗粒自组装或刻蚀或3D打印或微纳压印技术构建所述仿生模板。
S31:于所述的上述准球对称发散状纳米球模板上化学或物理沉积半导体纳米材料得到半导体光电薄膜。
4.根据权利要求1所述的具有准球对称特性的发散状低角度光捕获结构以实现高性能柔性自给能光探测器及其制备方法,其特征在于,所述步骤S3进一步包括:于所述的上述准球对称发散状纳米球模板上化学或物理沉积半导体纳米材料得到半导体光电薄膜所使用的技术方法包括但不限于真空过滤吸附法、旋涂法、提拉发、滴定法、喷涂法。
5.根据权利要求1所述的具有准球对称特性的发散状低角度光捕获结构以实现高性能柔性自给能光探测器及其制备方法,其特征在于,所述步骤S4进一步包括:在光电薄膜构建非对称电极实现自给能特性所使用方法包括但不限于液态金属法或电子束蒸发技术或热蒸发技术或磁控溅射技术。
6.根据权利要求1所述的具有准球对称特性的发散状低角度光捕获结构以实现高性能柔性自给能光探测器及其制备方法,其特征在于,所述步骤S4进一步包括:所述非对称电极材质包括但不限于金或银或铬或钛或钯或钪中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的具有准球对称特性的发散状低角度光捕获结构以实现高性能柔性自给能光探测器及其制备方法,其特征在于,所述步骤S4进一步包括:所述非对称电极之所谓非对称是指在正负两个电极在长度或宽度或厚度或面积或体积的不一致。
8.根据权利要求1所述的具有准球对称特性的发散状低角度光捕获结构以实现高性能柔性自给能光探测器及其制备方法,其特征在于,所述步骤S5进一步包括:非对称电极与光电薄膜的封装保护透明柔性材料包括但不限于PMMA、PEN、PET、PDMS中的一种或多种。封装保护透明柔性材料用作柔性器件使柔性器件具备弯曲能力且因高度透光性而保持高光吸收能力。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘潭大学,未经湘潭大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011142518.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电池更换控制方法和电池更换控制装置
- 下一篇:显示面板制作方法及显示面板
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的