[发明专利]多层芯片RFC4K超高耐压GPP轴向快恢复整流二极管

说明书

本发明公开了多层芯片RFC4K超高耐压GPP轴向快恢复整流二极管，包括外壳；铜引线，安装在外壳的两侧；GPP芯片，设有若干个，均安装在外壳内；固态焊料层，设有若干个，用于焊接两个相邻的GPP芯片，并将相邻GPP芯片之间互相导通，其中位于两个铜引线相对面的两个固态焊料层将GPP芯片与铜引线焊接在一起，本发明首先成本降低：固定设备投资少，人员利用率高，人工成本降低，制造成本降低；其次，实现自动化可行性提高，本发明大部分可以实现自动化制作；最后，提高超高耐压整流二极管电气可靠性能和制作产出良率。

技术领域

本发明涉及二极管技术领域，具体为多层芯片RFC4K超高耐压GPP轴向快恢复整流二极管。

背景技术

现有高反向耐压快速恢复轴向整流二极管是采用多层酸洗芯片以及电子级硅橡胶白胶对台面进行钝化封装而成。

其缺陷：

第一，现有封装高压整流二极管采用的芯片单元是酸洗芯片，因这种芯片只是芯片厂制作的半成品，其电气性能在芯片分成晶粒粒时由于切割导致晶粒周边台面有50至100微米的损伤层。这个损伤层已经破坏掉二极管芯片的电气性能，需要去除掉，去除掉以后还需要其他物质来保护这个层面。所以封账厂采用这种芯片封装需要增加一道或几道去除这个损伤层和附着保护层的工序，在二极管封装厂一般采用酸来腐蚀掉这层损伤层在封装工序中称为酸洗工序，附着保护层的工序称为上白胶工序，所以这类芯片也叫酸洗芯片简称OJ芯片即酸洗白胶钝化芯片。这种制作方式封装会大量使用强酸酸液对芯片进行腐蚀并大量使用超纯水对芯片进行清洗，严重污染环境和浪费水资源等缺点。

第二，现有封装采用的高压整流二极管。封装工序采用工序为，芯片厂家购买芯片----①芯片划片----②芯片分向----③芯片裂片----④组装----⑤焊接----⑥翻转----⑦酸洗----⑧梳条转换----⑨烘干----⑩上胶----⑾白胶固化----⑿模压----⒀模压固化----⒁上锡----⒂引直----⒃打字----⒄OQC----⒅入库共18个工序。工序较多复杂，生产场地、人员和固定资产投入非常高，单位制造成本非常高。

第三，现有封装采用的高压整流二极管由于采用的酸洗芯片。在台面保护方面是采用的电子级液体硅橡胶作为芯片台面保护层。因为需要人工和机器对芯片表面进行涂覆，涂覆的保护层厚度可控度不高，导致保护层质量不稳定在高压以及超高压电气性能质量得不到保证。

为此，我们提出多层芯片RFC4K超高耐压GPP轴向快恢复整流二极管。

发明内容

本发明的目的在于提供多层芯片RFC4K超高耐压GPP轴向快恢复整流二极管，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：多层芯片RFC4K超高耐压GPP轴向快恢复整流二极管，包括：

外壳；

铜引线，安装在外壳的两侧；

GPP芯片，设有若干个，均安装在外壳内；

固态焊料层，设有若干个，用于焊接两个相邻的GPP芯片，并将相邻GPP芯片之间互相导通，其中位于两个铜引线相对面的两个固态焊料层将GPP芯片与铜引线焊接在一起。

优选的，靠近其中一个所述铜引线的一侧的GPP芯片为快速恢复二极管芯片，其余所述GPP芯片为普通二极管芯片。

优选的，所述GPP芯片包括芯片晶粒部以及位于芯片晶粒部两侧的N面和P面，所述芯片晶粒部的表面设有二氧化硅层。

优选的，所述P面的面积大于N面的面积或N面的面积大于P面的面积。

优选的，所述铜引线外侧设有镀锡层。

优选的，所述外壳为环氧塑封材料。