[发明专利]镀膜玻璃及其制造方法

权利要求书

1.一种镀膜玻璃，其特征在于：所述镀膜玻璃由玻璃基片及依次溅镀在其表面的Si₃N₄层、MgF₂层、Bi₂Te₃/TIN复合层、ITO层；其中，Si₃N₄层厚度为15～35nm，MgF₂层厚度为10～30m、Bi₂Te₃/TIN复合层厚度为10～30nm、ITO层厚度为30～60nm。

2.根据权利要求1所述镀膜玻璃，其特征在于，所述Si₃N₄层厚度为25nm。

3.根据权利要求1所述镀膜玻璃，其特征在于，所述MgF₂层厚度为20nm。

4.根据权利要求1所述镀膜玻璃，其特征在于，所述Bi₂Te₃/TIN层厚度为20nm。

5.根据权利要求1所述镀膜玻璃，其特征在于，所述ITO层厚度为45nm。

6.如权利要求2～5任一项所述镀膜玻璃的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：表面处理：将玻璃基片放于处理液中，超声处理20min，清水冲洗2～3次，再用无水乙醇超声洗涤10min，80℃表面干燥，即得处理后玻璃基片；

S2：磁控溅射Si₃N₄层：将S1处理后玻璃基片放置于射频磁控溅射装置内，抽真空至本底真空度为1×10^-5～3×10^-4Pa，以Si₃N₄为靶材，再以35～70ml/min气流量通入氩气和氮气的混合气体，氮气和氩气的体积比为1：(7.5～10)，调节工作气压为0.5～1.2Pa，并控制玻璃基片温度为250～400℃、溅射功率为140～200W，形成Si₃N₄介质阻挡层；

S3：磁控溅射MgF₂层：将S2处理后玻璃基片放置于射频磁控溅射装置内，抽真空至本底真空度为1×10^-5～3×10^-4Pa，以MgF₂为靶材，再以35～70ml/min气流量通入纯度≥99.9％的氩气，调节工作气压为0.5～1.2Pa，并控制玻璃基片温度为250～400℃、溅射功率为140～200W，形成MgF₂减反增透层；

S4：磁控溅射Bi₂Te₃/TIN复合层：

a.制备复合靶材：将相同直径的Bi₂Te₃靶材和TIN靶材分别切割成10等分的均一规格扇形，取N份扇形Bi₂Te₃靶材，其中N取1、2、3、4、5，并与10-N份扇形TIN靶材拼接成Bi₂Te₃/TIN复合靶材；

b.将S3处理后玻璃基片放置于射频磁控溅射装置内，抽真空至本底真空度为1×10^-5～3×10^-4Pa，以Bi₂Te₃/TIN复合靶材为靶材，再以35～70ml/min气流量通入氩气和氮气的混合气体，氮气和氩气的体积比为1：(8～13)，调节工作气压为1.2～1.8Pa，并控制玻璃基片温度为250～400℃、溅射功率为120～180W，形成Bi₂Te₃/TIN复合导电层；

S5：磁控溅射ITO层：将S4处理后玻璃基片放置于射频磁控溅射装置内，抽真空至本底真空度为1×10^-5～3×10^-4Pa，以ITO为靶材，再以35～70ml/min气流量通入纯度≥99.9％的氩气，调节工作气压为1.2～1.8Pa，并控制玻璃基片温度为250～400℃、溅射功率为80～140W，形成ITO导电层。

7.根据权利要求6所述镀膜玻璃的制造方法，其特征在于，所述处理液由以下质量百分比组分组成：椰油酰胺丙基甜菜碱0.5～2％、植酸钠1～3％、碳酸钠3～7％、氢氧化钠2～4％、余量为去离子水。