[发明专利]一种TOPCon太阳能电池氧化硅层的制备方法和系统

权利要求书

1.一种TOPCon太阳能电池氧化硅层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1.首先将硅片平放在载板(10)上并输送进入工艺腔(20)；

S2.硅片进入工艺腔(20)后，先将工艺腔(20)抽真空；

S3.然后向抽真空后的工艺腔(20)内通入工艺气体，并对工艺气体和硅片同时快速加热至反应温度，工艺气体在高温低压真空中与硅片表面快速反应生成超薄的氧化硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种TOPCon太阳能电池氧化硅层的制备方法，其特征在于，步骤S1中，平放有硅片的载板(10)连续经过工艺腔(20)实现动态生长氧化硅薄膜，或者在工艺腔(20)内暂停实现静态生长氧化硅薄膜。

3.根据权利要求1所述的一种TOPCon太阳能电池氧化硅层的制备方法，其特征在于，步骤S2中，工艺腔(20)内的真空压强为1-30Pa。

4.根据权利要求1所述的一种TOPCon太阳能电池氧化硅层的制备方法，其特征在于，步骤S3中，工艺气体为氧气或臭氧；加热方式采用高功率加热器直接加热并使加热面积大于载板(10)的面积，且反应温度迅速升至550-800℃，工艺气体在高温低压真空环境中形成高温氧化区域并与硅片表面快速反应生成超薄的氧化硅薄膜。

5.根据权利要求1所述的一种TOPCon太阳能电池氧化硅层的制备方法，其特征在于，步骤S3中，氧化硅薄膜的厚度为1-2nm，从而具备钝化隧穿的功能，实现载流子的选择性遂穿和运输。

6.一种TOPCon太阳能电池氧化硅层的制备系统，其特征在于，包括输送系统及反应系统；

所述输送系统包括水平输送线及水平设置在所述水平输送线上的载板(10)，硅片平放在所述载板(10)上；

所述反应系统包括工艺腔(20)，用于将所述工艺腔(20)抽真空的真空设备(30)，用于向所述工艺腔(20)内通入工艺气体的供气设备(40)，以及设置在所述工艺腔(20)内上端的加热装置(50)。

7.根据权利要求6所述的一种TOPCon太阳能电池氧化硅层的制备系统，其特征在于，所述加热装置(50)为高功率红外加热器、高功率微波加热器、高功率激光加热器中的一种或多种并阵列设置以全覆盖所述载板(10)。