[发明专利]LED显示面板和LED显示装置有效
申请号: | 202011135981.2 | 申请日: | 2020-10-22 |
公开(公告)号: | CN112117296B | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 徐惠能;洪荣辉;朱卫平;张奎麟 | 申请(专利权)人: | 厦门强力巨彩光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/50;H01L33/58;G09F9/33 |
代理公司: | 厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) 35227 | 代理人: | 吴圳添 |
地址: | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 显示 面板 显示装置 | ||
LED显示面板和LED显示装置。所述LED显示面板包括:对置基板和阵列基板;多个LED像素组,所述LED像素组位于所述对置基板和阵列基板之间,所述LED像素组具有像素总面积;每个所述LED像素组包括红色LED像素单元、绿色LED像素单元和蓝色LED像素单元;所述红色LED像素单元具有第一像素面积;所述绿色LED像素单元具有第二像素面积;所述蓝色LED像素单元具有第三像素面积;所述第一像素面积占所述像素总面积的0.6至0.667。所述LED显示面板视觉效果显著提高,且像素间间距能够缩小至Micro‑LED级别及以下。
技术领域
本发明涉及LED领域,尤其涉及一种LED显示面板和LED显示装置。
背景技术
发光二极管(LED)具有成本低、光效高、节能环保等优点,被广泛应用于照明、可见光通信及发光显示等场景。
微型发光二极管(Micro-LED)是将传统的LED微缩后形成微米级间距的阵列以达到超高的分辨率,从而可用于显示领域。Micro-LED显示相对于传统的液晶显示(LCD)及有机发光显示(OLED),具备发光寿命长、亮度高、体积轻薄、功耗低、像素密度高等优势,成为以高真实度、互动与个性化显示为主要特点的第三代显示的代表。
目前Micro-LED的一个发展方向是,通过用Micro-LED芯片发出的光线激发量子点材料来发光实现彩色显示。而该技术由于需要考虑量子点材料色彩转换及光效提取导致的出射光匹配问题。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种LED显示面板和LED显示装置,以更好地解决Micro-LED的出射光匹配问题。
为解决上述问题,本发明提供一种LED显示面板,包括:对置基板和阵列基板;多个LED像素组,所述LED像素组位于所述对置基板和阵列基板之间,所述LED像素组具有像素总面积;每个所述LED像素组包括红色LED像素单元、绿色LED像素单元和蓝色LED像素单元;所述红色LED像素单元具有第一像素面积;所述绿色LED像素单元具有第二像素面积;所述蓝色LED像素单元具有第三像素面积;所述第一像素面积占所述像素总面积的0.6至0.667。
可选的,所述第一像素面积占所述像素总面积的0.618,这是一种黄金分割的面积占比,并且在使得第一像素面积和像素总面积具有相同短边的情况下,面积占比也是长度占比,因此,能够达到更好的视觉效果。
可选的,所述第二像素面积和所述第三像素面积相等;所述红色LED像素单元包括第一LED发光叠层和红色量子点转换层;所述第一LED发光叠层位于所述阵列基板;所述红色量子点转换层位于所述对置基板,所述红色量子点转换层位于所述第一LED发光叠层上方;所述绿色LED像素单元包括第二LED发光叠层和绿色量子点转换层;所述第二LED发光叠层位于所述阵列基板;所述绿色量子点转换层位于所述对置基板,所述绿色量子点转换层位于所述第二LED发光叠层上方;所述蓝色LED像素单元包括第三LED发光叠层和蓝色量子点转换层;所述第三LED发光叠层位于所述阵列基板;所述蓝色量子点转换层位于所述对置基板,所述蓝色量子点转换层位于所述第三LED发光叠层上方;所述对置基板下表面具有黑矩阵层,在俯视投影上,所述红色量子点转换层、绿色量子点转换层和蓝色量子点转换层位于所述黑矩阵层的开口位置。这种同时设计三种颜色的量子点转换层,配合以相应的结构和面积占比,能够使LED显示面板实现良好的彩色显示效果。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的