[发明专利]硫化物纳米晶的优化方法和Sn-S-Co纳米晶及其优化产物有效

专利信息
申请号: 202011134054.9 申请日: 2020-10-21
公开(公告)号: CN112279306B 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 陈昌云;刘光祥;颜森林;穆雪琴;崔雨佳;聂浩楠;徐鼎天 申请(专利权)人: 南京晓庄学院
主分类号: C01G51/00 分类号: C01G51/00;B82Y40/00;H01M4/90
代理公司: 北京太兆天元知识产权代理有限责任公司 11108 代理人: 张洪年
地址: 211171 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 硫化物 纳米 优化 方法 sn co 及其 产物
【权利要求书】:

1.硫化物纳米晶的优化方法,所述硫化物纳米晶为层状纳米晶,其特征在于,所述优化方法是通过对硫化物纳米晶进行可控磷化,具体包括以下步骤:

S1:取干燥的硫化物纳米晶并以十二胺溶液溶解硫化物纳米晶;

S2:将硫化物纳米晶升温至230±5℃,加入磷化剂,保温,得到含有优化后的硫化物纳米晶的溶液;

Sn-S-Co层状纳米晶是通过以下步骤制备得到的:

A1:将硫脲、SnCl2•2H2O、CoCl2•6H2O溶于H2O中;

A2:油浴升温到120 ℃;

A3:保温反应至有晶膜出现;

A4:取晶膜烘干,得到Sn-S-Co层状纳米晶;

所述磷化剂为三正辛基膦;所述磷化剂的添加量为3-10mL。

2.根据权利要求1所述的硫化物纳米晶的优化方法,其特征在于,还包括S3,经分散、沉降、分离得到优化后的硫化物纳米晶产物。

3.根据权利要求2所述的硫化物纳米晶的优化方法,其特征在于,还包括有S4:真空干燥,得到干燥的硫化物纳米晶产物。

4.根据权利要求1所述的硫化物纳米晶的优化方法,其特征在于,在步骤S1中,先对硫化物纳米晶进行低温烘干后,再溶解。

5.根据权利要求4所述的硫化物纳米晶的优化方法,其特征在于,所述低温烘干是在50±2℃以下进行烘干。

6.根据权利要求1所述的硫化物纳米晶的优化方法,其特征在于,步骤S2中将硫化物纳米晶在沙浴中升温。

7.根据权利要求1所述的硫化物纳米晶的优化方法,其特征在于,步骤S2中匀速升温至230±5℃,升温速率为5℃•min-1。

8.根据权利要求1所述的硫化物纳米晶的优化方法,其特征在于,在步骤S2中保温时间为30分钟。

9.根据权利要求1所述的硫化物纳米晶的优化方法,其特征在于,磷化剂的添加量为5mL。

10.根据权利要求2所述的硫化物纳米晶的优化方法,其特征在于,所述步骤S3中沉降采用正庚烷和无水乙醇的混合溶液,正庚烷与无水乙醇的混合摩尔比为3:1。

11.根据权利要求1所述的硫化物纳米晶的优化方法,其特征在于,CS(NH2)2,SnCl2•2H2O,CoCl2•6H2O的摩尔比为5:0.75:0.25。

12.根据权利要求4所述的硫化物纳米晶的优化方法,其特征在于,Sn-S-Co层状纳米晶制备中所述烘干为低温烘干,所述低温烘干是在50±2°C以下进行烘干。

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