[发明专利]半导体装置、显示装置、显示模块以及电子设备

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、电容元件、发光元件、第一布线、第二布线、第三布线、第四布线及第五布线，

其中，所述第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的源极和漏极中的一方、所述第三晶体管的源极和漏极中的一方及所述电容元件的一个端子电连接，

所述第一晶体管的源极和漏极中的一方与所述第四晶体管的源极和漏极中的一方、所述电容元件的另一个端子及所述发光元件电连接，

所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与所述第一布线电连接，

所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与所述第二布线电连接，

所述第二晶体管的栅极与所述第三布线电连接，

所述第三晶体管的所述源极和所述漏极的另一个与所述第四布线电连接，

所述第四晶体管的所述源极和所述漏极的另一个与所述第五布线电连接，

所述第一晶体管，包括：

第一绝缘膜上的半导体膜；

所述半导体膜上的第二绝缘膜；

所述第二绝缘膜上的栅电极；

所述栅电极上的第三绝缘膜；以及

所述第三绝缘膜上的导电膜，所述导电膜与所述半导体膜电连接，

所述发光元件的电极通过第四绝缘膜的开口部与所述导电膜电连接，

所述第二绝缘膜包括第一区域及第二区域，

所述第一区域与所述半导体膜重叠，

所述第二区域不与所述栅电极重叠，并且不与所述导电膜重叠，

所述第二区域中的所述第二绝缘膜的膜厚度比所述第一区域中的所述第二绝缘膜的膜厚度薄。

2.一种半导体装置，包括：

第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、电容元件、发光元件、第一布线、第二布线、第三布线、第四布线及第五布线，

其中，所述第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的源极和漏极中的一方、所述第三晶体管的源极和漏极中的一方及所述电容元件的一个端子电连接，

所述第一晶体管的源极和漏极中的一方与所述第四晶体管的源极和漏极中的一方、所述电容元件的另一个端子及所述发光元件电连接，

所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与所述第一布线电连接，

所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与所述第二布线电连接，

所述第二晶体管的栅极与所述第三布线电连接，

所述第三晶体管的所述源极和所述漏极的另一个与所述第四布线电连接，

所述第四晶体管的所述源极和所述漏极的另一个与所述第五布线电连接，

所述第一晶体管，包括：

第一绝缘膜上的半导体膜；

所述半导体膜上的第二绝缘膜；

在所述第二绝缘膜上并与所述第二绝缘膜接触的栅电极；

所述栅电极上的第三绝缘膜；以及

所述第三绝缘膜上的导电膜，所述导电膜与所述半导体膜电连接，

所述发光元件的电极通过第四绝缘膜的开口部与所述导电膜电连接，

所述电容元件，包括：

在所述第二绝缘膜上并与所述第二绝缘膜接触的第一电极；以及

与所述第三绝缘膜接触的第二电极，

所述栅电极和所述第一电极包含相同材料，

所述导电膜和所述第二电极包含相同材料，

所述第二绝缘膜包括第一区域及第二区域，

所述第一区域与所述半导体膜重叠，

所述第二区域不与所述栅电极重叠，并且不与所述导电膜重叠，

所述第二区域中的所述第二绝缘膜的膜厚度比所述第一区域中的所述第二绝缘膜的膜厚度薄。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

其中所述半导体膜包含氧化物半导体。