[发明专利]一种可避免杂质混入晶体内的智能制造用半导体加工装置在审
申请号: | 202011132212.7 | 申请日: | 2020-10-21 |
公开(公告)号: | CN112342626A | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 陈一霖 | 申请(专利权)人: | 凌鹰文案策划(温州)有限公司 |
主分类号: | C30B35/00 | 分类号: | C30B35/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 325500 浙江省温州市泰顺*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 避免 杂质 混入 晶体 智能 制造 半导体 加工 装置 | ||
1.一种可避免杂质混入晶体内的智能制造用半导体加工装置,包括活动盘(1),其特征在于:所述活动盘(1)的底侧贯穿有连接筒(2),连接筒(2)的内侧壁中贯穿有活动圈(3),活动圈(3)的外侧壁中贯穿连接筒(2)的侧壁活动连接有活动块(4),连接筒(2)的外侧壁贯穿有活动筒(5),活动筒(5)的顶端固定连接有连接块(8),连接块(8)的顶端活动连接有活动球(9),所述活动筒(5)的内部贯穿有活动管(6),活动管(6)的侧壁之间活动连接有连接索(7),所述连接筒(2)的内部贯穿有连接管(11),连接管(11)的侧壁处贯穿有连接片(10),连接管(11)的侧壁处固定连接有连接杆(12),连接杆(12)的侧壁远离连接管(11)的一端活动连接有活动珠(13),所述连接筒(2)的侧壁处贯穿有连接圈(14),连接圈(14)位于连接筒(2)外侧壁的部位固定连接有吸附块(15),吸附块(15)的外侧壁处固定连接有磁块(16)。
2.根据权利要求1所述的一种可避免杂质混入晶体内的智能制造用半导体加工装置,其特征在于:所述活动球(9)位于活动筒(5)两侧的距离小于连接筒(2)的外径尺寸。
3.根据权利要求1所述的一种可避免杂质混入晶体内的智能制造用半导体加工装置,其特征在于:所述活动球(9)的侧壁滚动连接于连接筒(2)的外侧壁处。
4.根据权利要求1所述的一种可避免杂质混入晶体内的智能制造用半导体加工装置,其特征在于:所述活动珠(13)的侧壁之间活动连接。
5.根据权利要求1所述的一种可避免杂质混入晶体内的智能制造用半导体加工装置,其特征在于:所述连接杆(12)的底侧壁处设置有限位块。
6.根据权利要求1所述的一种可避免杂质混入晶体内的智能制造用半导体加工装置,其特征在于:所述连接杆(12)的侧壁之间设置有滤网。
7.根据权利要求1所述的一种可避免杂质混入晶体内的智能制造用半导体加工装置,其特征在于:所述活动块(4)的侧壁转动连接于连接筒(2)的侧壁处。
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