[发明专利]一种真空灭弧室用铜铬屏蔽罩的制备方法

权利要求书

1.一种真空灭弧室用铜铬屏蔽罩的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）配料：选择铜粉和铬粉作为原材料，按照重量百分比计，铬粉的含量占比为1-30%；

（2）混粉：将配比好的铜粉和铬粉充分混合后按照一定重量比分成大组份混合粉和小组份混合粉，所述大组份混合粉采用球磨机混粉，球磨后得到粒径为35-75微米的铜铬混合粉A，所述小组份混合粉采用激光重熔后雾化制粉，得到粒径为10-15微米的铜铬混合粉B；

（3）冷等静压：然后将铜铬混合粉A和铜铬混合粉B充分混合后填装到橡胶套内进行冷等静压，得到CuCr棒料，冷等静压压力为150-350Mpa，保压时间为3-10min；

（4）烧结：将CuCr棒料放入真空炉内进行真空烧结，烧结温度在950-1080度，保温1-5小时；

（5）挤压：将烧结后的CuCr棒料切断成挤压前厚度，采用液压机进行反向冷挤压，得到CuCr毛坯；

（6）精加工：将挤压后的CuCr毛坯按长度可一件切断成多件最终产品，精加工即可得到最终的铜铬屏蔽罩；

将所述CuCr棒料进行真空烧结的具体步骤为：

S1：将CuCr棒料放入带有超声悬浮装置的真空烧结炉内，采用超声驻波悬浮技术使CuCr棒料悬浮于真空烧结炉内；

S2：先提升烧结温度至950度，保温30min，使得小粒径的铜铬混合粉B达到液相态，流动到大粒径的铜铬混合粉A形成的空隙内；

S3：再提升烧结温度至1080度，对大粒径的铜铬混合粉A进行固相烧结，保温1-5小时，逐步冷却至室温，得到烧结后的CuCr棒坯。

2.如权利要求1所述的一种真空灭弧室用铜铬屏蔽罩的制备方法，其特征在于，步骤（1）中所述铜粉采用粒径为60-75 μm，氧含量小于500 ppm，氮含量小于60 ppm的电解铜粉；所述铬粉采用粒径为130-150 μm，氧含量小于1000ppm,氮含量小于80ppm的铝热法铬粉。

3.如权利要求1所述的一种真空灭弧室用铜铬屏蔽罩的制备方法，其特征在于，步骤（6）中所述反向冷挤压的冷挤压压力800-2500Mpa，挤出速度1-5cm/s。

4.如权利要求1所述的一种真空灭弧室用铜铬屏蔽罩的制备方法，其特征在于，所述大组份混合粉和小组份混合粉的重量比为5-10:1。

5.如权利要求1所述的一种真空灭弧室用铜铬屏蔽罩的制备方法，其特征在于，所述超声悬浮装置包括弧形传输板、弧形反射板、换能器，换能器连接有超声电源，用于在弧形传输板以及弧形反射板之间形成驻波声场。

6.如权利要求1所述的一种真空灭弧室用铜铬屏蔽罩的制备方法，其特征在于，所述超声悬浮装置包括位于所述CuCr棒料下方的且开口朝上的弧形传输板，以及位于CuCr棒料上方且开口朝下的弧形反射板，以及用于为所述弧形传输板提供超声波振动的至少两个换能器，换能器连接有超声电源，用于在弧形传输板以及弧形反射板之间形成驻波声场，将CuCr棒料悬浮于声压节点。

7.如权利要求1-6任意一项所述的一种真空灭弧室用铜铬屏蔽罩的制备方法，其特征在于，所述铜铬屏蔽罩应用于真空灭弧室的第三电极。