[发明专利]通过将晶片转移到接收衬底来制造光子芯片的方法

权利要求书

1.一种光子芯片(1)的制造方法，所述光子芯片包括至少一个光电组件，所述光电组件被放置在接收衬底(20)上并被光耦合至第一集成波导(23)，该方法包括以下步骤：

在所述接收衬底(20)的上表面(20a)上限定中心区域Zc，所述中心区域在所述接收衬底的平面上具有预定的尺寸Lc、lc，所述中心区域旨在在考虑到晶片(10)关于中心区域Zc的预定的定位不确定度d_ip之后，在将晶片转移到接收衬底(20)的步骤之后被所述晶片(10)完全覆盖；

制造具有初始尺寸的晶片(10)，所述初始尺寸是根据尺寸Lc、lc和定位不确定度d_ip而预设的；

制造所述接收衬底(20)，所述上表面(20a)包括所述中心区域Zc以及环绕所述中心区域Zc并旨在在转移步骤之后被所述晶片(10)部分覆盖的外围区域Zp，这些共同形成了所述晶片旨在完全位于其中的实际转移区域Zr_e，所述接收衬底(20)包括：

第一集成波导(23)，其仅位于中心区域Zc中；以及

第二集成波导(24)，其叠置在所述第一集成波导(23)上并与之光耦合，至少位于所述外围区域Zp中，并且相对于所述上表面(20a)具有大于预设阈值P_th的第二间距；

将所述晶片(10)转移至所述接收衬底(20)的实际转移区域Zr_e，然后所述晶片(10)将所述中心区域Zc完全覆盖，并且所述外围区域Zp然后具有未被所述晶片(10)覆盖的自由表面(25)；

将蚀刻掩模(31)一方面沉积在所述晶片(10)的部分上，另一方面沉积在所述实际转移区域Zr_e周围；

通过干蚀刻所述晶片(10)的未涂覆有蚀刻掩模(31)的自由部分，然后将所述外围区域Zp的自由表面(25)蚀刻到小于或等于阈值P_th的深度，从而从所述晶片(10)制造光电组件。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述第一集成波导(23)相对于所述上表面(20a)具有小于预设阈值P_th的第一间距。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述接收衬底(20)包括第三集成波导，其叠置在所述第二集成波导(24)上并与之光耦合，至少位于所述实际转移区域Zr_e中，并且相对于所述上表面(20a)具有小于预设阈值P_th的第三间距。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在制造所述晶片(10)的步骤之后，所述晶片的初始尺寸分别至少等于Lc+2d_ip、lc+2d_ip。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述实际转移区域Zr_e的尺寸Lr_e、lr_e分别至少等于Lc+4d_ip、lc+4d_ip。

6.根据权利要求1所述的制造方法，包括在制造所述光电组件的步骤之前，通过湿蚀刻去除所述晶片(10)的生长衬底(11)的步骤，所述湿蚀刻导致所述晶片(10)在平行于所述接收衬底(20)的平面中的非零距离d_sgl的横向过蚀刻，然后所述晶片(10)具有初始尺寸，该初始尺寸是根据非零距离d_sgl进一步预设的。

7.根据权利要求1所述的制造方法，包括从同一晶片(10)制造多个光电组件的步骤，每个光电组件被耦合至相应的第一集成波导(23)。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述光电组件是激光二极管、光电二极管或电光调制器。

9.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述晶片(10)基于III-V族半导体化合物制成。