[发明专利]制备低应力GaN薄膜的方法在审
| 申请号： | 202011130743.2 | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN112233969A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 修向前;李悦文;张荣;谢自力;陈鹏;刘斌;郑有炓;李红梅 | 申请（专利权）人： | 国网山东省电力公司电力科学研究院;南京大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/34;C23C16/44 |
| 代理公司： | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人： | 张佳妮 |
| 地址： | 250002 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 应力 gan 薄膜 方法 | ||
1.一种制备低应力GaN薄膜的方法，其特征在于：在双面抛光的蓝宝石衬底正反两面同时用卤化物气相外延法进行GaN薄膜的生长，控制生长条件，使双面外延GaN薄膜的厚度基本相同，得到低应力的GaN薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备低应力GaN薄膜的方法，其特征在于其步骤包括：
(1)清洗双面抛光的蓝宝石衬底；
(2)将蓝宝石衬底置于HVPE反应器中，缓慢升温至生长温度，升温速率10-20℃/分钟，开始双面生长GaN薄膜，生长温度为1000～1100℃；
(3)生长到所需的厚度后厚度大于5微米，缓慢降至室温，降温速率10-20℃/分钟，取出样品。
3.根据权利要求2所述的制备低应力GaN薄膜的方法，其特征在于：所述HVPE反应器为立式反应器，蓝宝石衬底摆放方向平行于气流方向。
4.根据权利要求2所述的制备低应力GaN薄膜的方法，其特征在于：所述HVPE反应器为卧式反应器，蓝宝石衬底摆放方向平行于气流方向。
5.根据权利要求2-4中任一项所述的制备低应力GaN薄膜的方法，其特征在于：所述蓝宝石衬底摆放在反应器托盘中，反应器托盘为单层或多层石英结构，每层开孔，孔内径略小于蓝宝石衬底。
6.根据权利要求5所述的制备低应力GaN薄膜的方法，其特征在于：所述蓝宝石衬底有单片或多片同时进行GaN薄膜的外延生长，多片蓝宝石衬底在多层反应器托盘中平行放置，每层托盘最多放置一片蓝宝石衬底。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
