[发明专利]一种存储器件及其制作方法

权利要求书

1.一种存储器件，其特征在于，包括多个阵列排布的MTJ存储单元，任意两个相邻的MTJ存储单元中的MTJ膜层位于不同层。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述MTJ存储单元至少包括第一MTJ存储单元和第二MTJ存储单元，所述第一MTJ存储单元中的MTJ膜层和所述第二MTJ存储单元中的MTJ膜层位于不同层；

所述第一MTJ存储单元和所述第二MTJ存储单元交错排布，并且，任意两个所述第一MTJ存储单元不相邻，任意两个所述第二MTJ存储单元不相邻。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，在行方向和列方向上，所述第一MTJ存储单元和所述第二MTJ存储单元的距离为预设距离；

或者，沿第一方向相邻的两个第一MTJ存储单元或第二MTJ存储单元之间的距离为预设距离，沿第二方向相邻的两个第一MTJ存储单元或第二MTJ存储单元之间的距离为预设距离，所述第一方向与行方向和列方向相交，所述第二方向与所述第一方向垂直；

或者，任意两个相邻的所述第一MTJ存储单元之间的距离为预设距离，任意两个相邻的所述第二MTJ存储单元之间的距离为预设距离，且任一所述第一MTJ存储单元位于相邻的两个第二MTJ存储单元中间。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述第一MTJ存储单元包括依次位于衬底上的第一底电极和第一MTJ膜层，所述第二MTJ存储单元包括依次位于所述衬底上的第二底电极和第二MTJ膜层，所述衬底表面具有金属互连层，所述第一底电极和所述第二底电极分别与所述金属互连层中对应的互连结构电连接；

所述第一MTJ膜层和所述第二MTJ膜层位于不同层，且所述第一MTJ膜层和所述第二MTJ膜层之间具有第一绝缘层。

5.根据权利要求4所述的存储器件，其特征在于，所述第一底电极和所述第二底电极位于同一层，所述第一MTJ膜层与所述第一底电极直接接触电连接，所述第二MTJ膜层与所述第二底电极通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔电连接。

6.根据权利要求4所述的存储器件，其特征在于，所述第一底电极和所述第二底电极位于不同层，所述第一MTJ膜层与所述第一底电极直接接触电连接，所述第二MTJ膜层与所述第二底电极直接接触电连接。

7.根据权利要求4～6任一项所述的存储器件，其特征在于，所述第一MTJ存储单元还包括第一顶电极，所述第二MTJ存储单元还包括第二顶电极；

所述第一顶电极和所述第二顶电极位于同一层，所述第一MTJ膜层与所述第一顶电极通过第二过孔电连接，所述第二MTJ膜层与所述第二顶电极直接接触电连接。

8.根据权利要求7所述的存储器件，其特征在于，所述第一底电极、所述第二底电极、所述第一顶电极和所述第二顶电极的材料包括Ta、TaN、Ti、TiN、W和WN；

第一过孔和所述第二过孔的材料包括Cu、W和AL。

9.一种存储器件的制作方法，其特征在于，应用于制作权利要求1～8任一项所述的存储器件，包括：

提供衬底，所述衬底表面具有金属互连层；

在所述衬底表面形成多个阵列排布的MTJ存储单元，任意两个相邻的MTJ存储单元中的MTJ膜层位于不同层。