[发明专利]下电极组件及半导体工艺设备

说明书

本发明公开一种下电极组件及半导体工艺设备，下电极组件包括基座、射频接口盘、晶圆顶起机构、驱动源和密封组件；静电卡盘、射频接口盘和基座依次叠置，射频接口盘与基座绝缘且密封连接；静电卡盘与射频接口盘之间形成第一容纳空间，射频接口盘与基座之间形成第二容纳空间；顶针组件位于第一容纳空间内，连接组件位于第二容纳空间内，射频接口盘开设有第一穿孔，基座开设有第二穿孔，驱动轴的第一端与连接组件绝缘连接，驱动轴的第二端穿过第一穿孔伸入第一容纳空间内与顶针组件相连接，连接组件穿过第二穿孔与驱动源连接；密封组件密封第一穿孔和第二穿孔。上述方案能够解决半导体工艺设备的安全性和可靠性较低的问题。

技术领域

本发明涉及半导体芯片技术领域，尤其涉及一种下电极组件及半导体工艺设备。

背景技术

半导体工艺设备中的反应腔室内设置有下电极组件和静电卡盘，静电卡盘用于支撑待刻蚀的晶圆，下电极组件用于支撑静电卡盘同时为其施加射频电压，以满足不同的工艺需求。

相关技术中，静电卡盘叠置于下电极组件的顶部，下电极组件与静电卡盘上分别开设有用于顶针升降的通道，顶针在通道内移动，从而实现升降，进而驱动晶圆升降。然而，晶圆在刻蚀的过程中，反应腔室内处于真空环境，通道将下电极组件与静电卡盘相连通，进而使得下电极组件内部和静电卡盘均处于真空环境，当下电极组件施加较大的射频电压时，容易发生击穿现象，进而使得半导体工艺设备的安全性和可靠性较低。

发明内容

本发明公开一种下电极组件及半导体工艺设备，能够解决半导体工艺设备的安全性和可靠性较低的问题。

为了解决上述问题，本发明采用下述技术方案：

一种半导体工艺设备中的下电极组件，设置在所述半导体工艺设备的反应腔室中，用于支撑静电卡盘，所述下电极组件包括基座、射频接口盘、晶圆顶起机构、驱动源和密封组件；

所述静电卡盘、所述射频接口盘和所述基座依次叠置，所述静电卡盘与所述射频接口盘密封连接，所述射频接口盘与所述基座绝缘且密封连接；所述静电卡盘与所述射频接口盘之间形成第一容纳空间，所述射频接口盘与所述基座之间形成第二容纳空间；所述射频接口盘用于加载射频；

所述晶圆顶起机构包括顶针组件、驱动轴和连接组件，顶针组件位于所述第一容纳空间内，所述连接组件位于所述第二容纳空间内，所述射频接口盘开设有第一穿孔，所述基座开设有第二穿孔，所述驱动轴的第一端与所述连接组件绝缘连接，所述驱动轴的第二端穿过所述第一穿孔伸入所述第一容纳空间内与所述顶针组件相连接，所述连接组件穿过所述第二穿孔与所述驱动源连接，所述驱动源通过所述连接组件和所述驱动轴驱动所述顶针组件沿所述射频接口盘的轴线方向移动；

所述密封组件密封所述第一穿孔和所述第二穿孔。

一种半导体工艺设备，包括反应腔室，所述反应腔室中设置有静电卡盘和上述的下电极组件。

本申请采用的技术方案能够达到以下有益效果：