[发明专利]一种EEPROM存储器编程精度校正电路及方法

权利要求书

1.一种EEPROM存储器编程精度校正电路，其特征在于，包括：单多晶EEPROM子电路、复位子电路、操作指令控制子电路、信号输入子电路及电荷泵；所述复位子电路分别与所述单多晶EEPROM子电路、所述操作指令控制子电路、所述信号输入子电路及所述电荷泵电连接；所述单多晶EEPROM子电路与所述信号输入子电路电连接，所述信号输入子电路与所述操作指令控制子电路电连接，所述操作指令控制子电路与所述电荷泵电连接，所述电荷泵与所述单多晶EEPROM子电路电连接；所述操作指令控制子电路与所述单多晶EEPROM子电路电连接；所述复位子电路用于检测EEPROM存储器是否处于芯片测试模式下；在测试模式下时，所述复位子电路复位信号有效；所述复位子电路产生复位信号至所述单多晶EEPROM子电路、所述操作指令控制子电路、所述信号输入子电路及所述电荷泵，所述单多晶EEPROM子电路、所述操作指令控制子电路、所述信号输入子电路及所述电荷泵进入初始化状态；不作动作；若没有复位信号到来，则在测试使能信号为高电平时，通过给操作指令控制子电路的CS片选端输入不同的方波个数产生操作控制指令。

2.根据权利要求1所述的一种EEPROM存储器编程精度校正电路，其特征在于，所述操作指令控制子电路通过38译码电路产生不同的操作控制指令。

3.根据权利要求1所述的一种EEPROM存储器编程精度校正电路，其特征在于，所述信号输入子电路通过一根数据线的管脚复用进行数据传输及时钟控制。

4.一种EEPROM存储器编程精度校正方法，包括权利要求1-3任一项所述的一种EEPROM存储器编程精度校正电路，其特征在于，所述方法包括：

通过所述信号输入子电路判断电路是否处于测试模式；

若处于测试模式，则所述复位子电路产生复位信号至所述单多晶EEPROM子电路、所述操作指令控制子电路、所述信号输入子电路及所述电荷泵；

依据所述复位信号控制所述单多晶EEPROM子电路、所述操作指令控制子电路、所述信号输入子电路及所述电荷泵进入初始化状态；

若没有复位信号到来，则在测试使能信号为高电平时，通过给信号输入子电路的CS片选端输入不同的方波个数产生操作控制指令。

5.根据权利要求4所述的一种EEPROM存储器编程精度校正方法，其特征在于，所述若没有复位信号到来，则在测试使能信号为高电平时，通过给信号输入子电路的CS片选端输入不同的方波个数产生操作控制指令包括：

控制第一个方波产生读操作命令，将单多晶EEPROM子电路中的数据读出；

控制第二个方波产生擦操作命令，所述电荷泵产生电压以控制所述单多晶EEPROM子电路擦除数据；

控制第三个方波产生数据输入命令，通过所述信号输入子电路的管脚复用进行数据串行移位处理；

控制第四个方波产生写操作命令，所述操作指令控制子电路产生写命令，并通过所述电荷泵产生电压输入到所述单多晶EEPROM子电路，以实现对所述单多晶EEPROM子电路中基准电压的调修。