[发明专利]一种微纳光纤扭曲传感器在审
| 申请号: | 202011122205.9 | 申请日: | 2020-10-20 |
| 公开(公告)号: | CN112326603A | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
| 发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 中山科立特光电科技有限公司 |
| 主分类号: | G01N21/59 | 分类号: | G01N21/59;G01M11/02 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 528458 广东省中山市中山火炬开发区中心城区港*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 光纤 扭曲 传感器 | ||
1.一种微纳光纤扭曲传感器,其特征在于,包括:光源、第一光纤、微纳纤芯、第二光纤、探测器,所述光源发出激光,所述激光耦合进入所述第一光纤的一端,所述第一光纤的另一端固定连接所述微纳纤芯的一端,所述微纳纤芯的另一端固定连接所述第二光纤的一端,所述激光从所述第二光纤的另一端耦合进入所述探测器,所述微纳纤芯的截面上设有凹槽。
2.如权利要求1所述的微纳光纤扭曲传感器,其特征在于:所述微纳纤芯的材料为二氧化硅。
3.如权利要求2所述的微纳光纤扭曲传感器,其特征在于:所述第一光纤和所述第二光纤为单模光纤。
4.如权利要求3所述的微纳光纤扭曲传感器,其特征在于:所述第一光纤的纤芯和所述第二光纤的纤芯的尺寸大于所述微纳纤芯的尺寸。
5.如权利要求4所述的微纳光纤扭曲传感器,其特征在于:所述微纳纤芯的截面为圆形。
6.如权利要求1-5任一项所述的微纳光纤扭曲传感器,其特征在于:所述凹槽为楔形。
7.如权利要求6所述的微纳光纤扭曲传感器,其特征在于:还包括贵金属部,所述贵金属部设置在所述凹槽的底部。
8.如权利要求7所述的微纳光纤扭曲传感器,其特征在于:所述贵金属部的材料为金、银或铂。
9.如权利要求8所述的微纳光纤扭曲传感器,其特征在于:所述凹槽的底部处于所述微纳纤芯的轴线附近。
10.如权利要求9所述的微纳光纤扭曲传感器,其特征在于:所述微纳纤芯的尺寸大于100纳米、小于1微米。
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