[发明专利]一种低功耗恒流的控制电路及方法在审

专利信息
申请号: 202011120396.5 申请日: 2020-10-19
公开(公告)号: CN112105123A 公开(公告)日: 2020-12-18
发明(设计)人: 张攀 申请(专利权)人: 美芯晟科技(北京)有限公司
主分类号: H05B45/345 分类号: H05B45/345;H05B45/37
代理公司: 北京一枝笔知识产权代理事务所(普通合伙) 11791 代理人: 张庆瑞
地址: 100000 北京市海淀区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 功耗 控制电路 方法
【说明书】:

发明公开了一种低功耗恒流控制电路,其第二比较器输出端连接第二开关单元,通过第二开关单元控制负载电流的恒定。第二比较器通过第二基准产生模块从母线直接取电保证其工作电压,避免从负载低电位端取电导致的主功率恒流控制模块的电压过高从而功耗过大的问题,从母线取电的方式有效降低电路的功耗,实现电路的高效率。本发明还公开了一种低功耗恒流的控制方法,该方法解决现在技术所存在的由于传统线性芯片的JFET和POWERMOS集成在一起,芯片从VLED‑端取电,导致主功率环路芯片的效率降低的问题,有效提高LED驱动电路的工作效率。本发明作用效果显著,适于广泛推广。

技术领域

本发明涉及LED驱动电路技术领域,特别涉及,一种低功耗恒流的控制电路及方法。

背景技术

LED(Light Emitting Diode发光二极管)照明具有亮度高、效率高、寿命长等优势被广泛采用。近年来随着社会的进步,对LED照明有了更高的要求,要求高PF(Power Factor功率因数)、无频闪、高效率,从而降低对人眼的伤害,并且提高对能源的利用率。

目前,传统的LED驱动是通过两个单独的线性芯片配合使用来实现的,一颗芯片做充电环路来实现高PF;另一颗芯片做主功率恒流环路来实现无频闪(如图1至图5所示),传统的LED驱动电路主要包括电源、电容和LED,传统线性芯片的JFET(Junction Field-Effect Transistor结型场效应晶体管)和POWERMOS是集成在一起的,芯片需要从VLED-端取电,且获取的电压要高于芯片正常工作所需的最小工作电压VST芯片才能正常工作,而VST一般远高于芯片正常工作时VG-VTH的电压,为了消除频闪,母线波谷的电压VIN必须大于VLED+VST,主功率环路芯片的功耗PLOSS=ILED×VLED-=ILED×VST,这无疑会使主功率环路芯片上产生更多的损耗,导致效率降低。

针对上述问题,亟需设计一种解决现有技术存在的由于传统线性芯片的JFET和POWERMOS是集成在一起的,芯片需要从VLED-端取电,导致主功率环路芯片的效率降低的问题的电路及方法。

发明内容

针对上述缺陷,本发明解决的技术问题在于,提供一种低功耗恒流的控制电路及方法,以解决现在技术所存在的由于传统线性芯片的JFET和POWERMOS是集成在一起的,芯片需要从VLED-端取电,导致主功率环路芯片的效率降低的问题。

本发明提供了一种低功耗恒流控制电路包括整流模块、负载和主功率恒流控制模块,所述主功率恒流控制模块包括第二比较器、第二基准产生模块和第二开关单元,其中所述第二基准产生模块接入母线电源并为所述第二比较器提供第二基准参考值;所述第二比较器获取所述负载电信号并与所述第二基准参考值比较,进而控制所述第二开关单元工作。

优选地,还包括充电环路恒流控制模块,所述充电环路恒流控制模块包括第一比较器、第一基准产生模块和第一开关单元,其中所述第一基准产生模块接入母线电源并为所述第一比较器提供第一基准参考值;

所述充电环路恒流控制模块上连接有储能模块,所述储能模块和所述充电环路恒流控制模块连接在所述整流模块的两端;

所述第一比较器获取所述储能模块电信号并与所述第一基准参考值比较,进而控制所述第一开关单元工作;

所述储能模块低电位端通过二极管接地,所述二极管正极接地,负极与所述储能模块连接。

优选地,所述主功率恒流控制模块与所述充电环路恒流控制模块采用同一基准产生模块。

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