[发明专利]一种等离子体处理装置及其气体喷淋环的制作方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包含：

真空反应腔；

上电极组件，位于所述真空反应腔顶部；

下电极组件，位于所述真空反应腔底部，所述下电极组件和所述上电极组件相对设置，所述下电极组件包含一承载面，用于承载晶圆；

气体喷淋环，环绕设置在所述下电极组件的外侧，所述气体喷淋环包含若干个气体供应孔，所述气体供应孔与一反应气体输送装置相连，用于将反应气体输送到所述真空反应腔内部，以在所述上电极组件和所述下电极组件之间产生等离子体。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述反应气体输送装置设置在所述真空反应腔底部。

3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述气体供应孔的出口向晶圆方向倾斜。

4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述气体供应孔沿晶圆周向均匀或非均匀分布。

5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述气体喷淋环由绝缘类材料制作而成。

6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述绝缘类材料包括陶瓷或石英材料。

7.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述气体供应孔内壁和/或出口设有耐等离子体腐蚀性的镀层。

8.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述耐等离子体腐蚀性的镀层材料为特氟龙镀层或氧化钇膜层或阳极氧化铝层。

9.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述气体供应孔的出口为倒圆角结构。

10.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述倒圆角直径≥2倍气体供应孔直径。

11.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述等离子体用于对所述晶圆的边缘进行刻蚀。

12.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述上电极组件的中心设置一喷气孔，用于提供非反应气体，所述非反应气体对所述晶圆的中心区域形成一保护气幕或对所述晶圆的中心区域清洁。

13.一种如权利要求1～12任一项所述的等离子体处理装置中的气体喷淋环的制作方法，其特征在于，包含：

在气体喷淋环基材上加工若干个气体供应孔；

从下往上采用物理气相沉积的方式向所述气体供应孔镀耐等离子体腐蚀性的镀层；

从上往下采用化学气相沉积的方式向所述气体供应孔镀耐等离子体腐蚀性的镀层。

14.如权利要求13所述的气体喷淋环的制作方法，其特征在于，

所述气体供应孔的出口向晶圆方向倾斜。