[发明专利]三态内容可寻址存储器及其存储单元

权利要求书

1.一种三态内容可寻址存储单元，其特征在于，包括：

一第一晶体管，具有栅极端接收一选择信号，该第一晶体管的第一端耦接至一匹配线，该第一晶体管的第二端耦接至一源极线；以及

一第二晶体管，具有栅极端接收一反向选择信号，该第二晶体管的第一端耦接至该匹配线，该第二晶体管的第二端耦接至该源极线，

其中，该第一晶体管以及该第二晶体管都具有电荷储存结构。

2.根据权利要求1所述的三态内容可寻址存储单元，其中该第一晶体管以及该第二晶体管中任一个的截止电阻与导通电阻的比值大于10⁶。

3.根据权利要求1所述的三态内容可寻址存储单元，其中该第一晶体管与该第二晶体管均为浮动栅极晶体管，该三态内容可寻址存储单元还包括：

一第一开关，与该第一晶体管串接在该匹配线与该源极线间，受控于一第一字线信号；以及

一第二开关，与该第二晶体管串接在该匹配线与该源极线间，受控于一第二字线信号。

4.根据权利要求1所述的三态内容可寻址存储单元，其中该第一晶体管为双栅极晶体管，该第一晶体管的一第一栅极为浮动栅极并接收该选择信号，该第一晶体管的一第二栅极接收一第一字线信号，该第二晶体管为双栅极晶体管，该第二晶体管的一第一栅极为浮动栅极并接收该反向选择信号，该第二晶体管的一第二栅极接收一第二字线信号。

5.一种三态内容可寻址存储器，其特征在于，包括：

多条选择线；

多条匹配线；以及

一存储单元阵列，具有多个存储单元，形成多个存储单元行以及多个存储单元列，其中各该存储单元具有相互并联的一第一晶体管以及一第二晶体管，该第一晶体管以及该第二晶体管都具有电荷储存结构，

其中这些存储单元列分别耦接这些选择线，这些存储单元行分别耦接这些匹配线。

6.根据权利要求5所述的三态内容可寻址存储器，其中该第一晶体管以及该第二晶体管中任一个的截止电阻与导通电阻的比值大于10⁶。

7.根据权利要求5所述的三态内容可寻址存储器，其中各该存储单元还包括：

一第一开关，与该第一晶体管串接在对应的匹配线与对应的源极线间，受控于一第一字线信号；以及

一第二开关，与该第二晶体管串接在对应的匹配线与对应的源极线间，受控于一第二字线信号，

其中该第一晶体管与该第二晶体管均为浮动栅极晶体管。

8.根据权利要求5所述的三态内容可寻址存储器，其中该第一晶体管为双栅极晶体管，该第一晶体管的一第一栅极为浮动栅极并接收该选择信号，该第一晶体管的一第二栅极接收一第一字线信号，该第二晶体管为双栅极晶体管，该第二晶体管的一第一栅极为浮动栅极并接收该反向选择信号，该第二晶体管的一第二栅极接收一第二字线信号。

9.根据权利要求5所述的三态内容可寻址存储器，还包括：

多个预充电电路，分别耦接至这些匹配线，用以执行这些匹配线上多个匹配信号的预充电动作。

10.根据权利要求5所述的三态内容可寻址存储器，还包括：

一感测放大器，耦接这些匹配线，感测这些匹配信号以分别产生多个感测结果；

一源极驱动器，耦接这些源极线，产生多个源极驱动信号；

一缓冲器，耦接这些选择线，分别提供多个写入数据或多个选择信号至这些存储单元列；以及

一编码器，耦接该感测放大器，编码这些感测结果以产生一匹配结果。