[发明专利]界面一体材料、元件和装置在审
申请号: | 202011114467.0 | 申请日: | 2020-10-16 |
公开(公告)号: | CN112351640A | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 杨俊新 | 申请(专利权)人: | 杨俊新 |
主分类号: | H05K7/20 | 分类号: | H05K7/20;H05K9/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 063000 河北省唐山市*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 界面 一体 材料 元件 装置 | ||
1.一种界面一体材料,包括基体和低熔点材料,其特征是基体至少部分表面设置有导热三维结构,三维结构上设置有低熔点材料。
2.一种界面一体材料,包括基体和低熔点材料,其特征是基体表面设置附加导热三维结构,三维结构设置有固定结构,三维结构上设置有低熔点材料。
3.根据权利要求1或2所述的界面一体材料,其特征是基体表面三维结构设置方式包括物理方式、化学方式、喷涂/打印、微机电加工、增材制造、减材制造或其组合方式,至少其中一种。
4.根据权利要求2所述的界面一体材料,其特征是基体表面附加设置的三维结构材质可与元件本体材质相同或不同或其组合方式,至少其中一种。
5.根据权利要求1或2所述的界面一体材料,其特征是基体为三维结构。
6.根据权利要求1或2所述的界面一体材料,其特征是基体表面三维结构设置有阻挡结构、迷宫结构或其组合方式,至少其中一种。
7.根据权利要求1或2所述的界面一体材料,其特征是低熔点材料为相变材料,相变材料至少包括相变材料、相变材料化合物/合金、相变材料复合物或其组合方式,至少其中一种。
8.根据权利要求1或2所述的界面一体材料,其特征是材料表面的加工精度为液密级精度或气密级精度或其组合方式,至少其中一种。
9.一种界面一体元件,其特征是元件至少一面有三维结构,三维结构至少部分是采用权利要求1-8中,任意一种权利要求所述界面一体材料制造。
10.根据权利要求9所述的界面一体元件,其特征是设置低熔点材料时可在元件形成前、与元件成形同时、元件形成后设置真空除气过程或其组合方式设置真空除气过程,至少其中一种。
11.一种装置,至少包括散热元件和发热元件,其特征是装置至少部分是采用权利要求9-10中,任意一种权利要求所述界面一体元件或其组合方式形成的装置,至少其中一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杨俊新,未经杨俊新许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011114467.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。