[发明专利]一种缓启动保护电路及电路保护集成芯片有效
申请号: | 202011109469.0 | 申请日: | 2020-10-16 |
公开(公告)号: | CN112310937B | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | 尤慧杰;李岩 | 申请(专利权)人: | 浪潮电子信息产业股份有限公司 |
主分类号: | H02H3/08 | 分类号: | H02H3/08;H02H3/06;H02H3/087 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 刘翠香 |
地址: | 250101 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 启动 保护 电路 集成 芯片 | ||
本申请公开了一种缓启动保护电路,包括:保护芯片、第一开关管、第二开关管、第三开关管、第四开关管、第一电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻和第七电阻,通过本申请的缓启动保护电路,能够监测到电压输入端电压和第一开关管的控制端电压,从而这两个电压发生变化时,缓启动保护电路内部能够做出正确的开启和关断动作,提高保护的准确性,同时在一定程度上减缓了开关管的开启速度,有效减小了冲击电流对元器件和系统的影响。相应的本申请还公开了一种电路保护集成芯片。
技术领域
本发明涉及服务器电路保护领域,特别涉及一种缓启动保护电路及电路保护集成芯片。
背景技术
随着服务器和台式机设备的可靠性要求的不断提高,出现了适配器与电源主板间支持热插拔的需求。为了稳定主板的供电,输入端会加大电容的容量,在热插拔过程中,会出现较大的冲击电流,易造成总线电压不稳和元器件的损坏,导致电路失效。
现有的缓启动方案,一般是通过RC延时稳压的方式来控制MOS管栅极电压的爬升时间,使MOS管缓慢开启达到减小冲击电流的效果,但这种方案在一定程度上存在误动作的风险。
因此,如何提供一种解决上述技术问题的方案是目前本领域技术人员需要解决的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种缓启动保护电路及电路保护集成芯片,避免缓启动时误动作出现。其具体方案如下:
一种缓启动保护电路,包括:保护芯片、第一开关管、第二开关管、第三开关管、第四开关管、第一电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻和第七电阻,其中:
所述第一开关管的第一端连接电压输入端,第二端连接电压输出端,控制端通过所述第二电阻与所述第四开关管的第一端连接;
所述第一电阻和所述第一电容并联于所述第一开关管的第一端和控制端之间;
所述第二开关的第一端与所述电压输入端连接,所述第二开关的第二端通过所述第三电阻与所述第一开关管的控制端连接;
所述第四电阻的第一端与所述电压输入端连接,所述第四电阻的第二端与所述第二开关管的控制端连接;
所述第五电阻的第一端与所述第四开关管的第一端连接,所述第五电阻的第二端与所述第六电阻的第一端、所述第三开关管的控制端均连接;
所述第六电阻的第二端与所述第三开关管的第一端均接地;
所述第三开关管的第二端通过所述第七电阻与所述第二开关管的控制端连接;
所述第四开关管的第二端接地,所述第四开关管的控制端接收所述保护芯片的过流信号,以保护所述电压输出端的后级电路。
优选的,所述第一开关管为PMOS管,该PMOS管的源极作为所述第一开关管的第一端,该PMOS管的漏极作为所述第一开关管的第二端。
优选的,所述第四开关管为NMOS管,该NMO管的漏极作为所述第四开关管的第一端,该NMOS管的源极作为所述第四开关管的第二端。
优选的,所述第四开关管为三极管。
优选的,所述第二开关管和所述第三开关管均为三极管。
优选的,所述保护芯片具体用于:
判断所述电压输入端的总线电流是否满足预设条件;
若是,输出所述过流信号,以断开所述第四开关管。
相应的,本申请还公开了一种电路保护集成芯片,包括:
如上文任一项所述缓启动保护电路的集成电路。
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