[发明专利]半导体器件和制造该半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202011107929.6 | 申请日： | 2020-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112993028A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 丁秀真;金钟燮;金俊溶;朴永焕;朴俊赫;申东澈;吴在浚;黄瑄珪;黄仁俊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
包括沟道的沟道层；
在所述沟道层上的沟道供应层，所述沟道供应层和所述沟道层之间的界面与所述沟道相邻；
在所述沟道供应层上的沟道分隔图案；
在所述沟道分隔图案上的栅电极图案，所述栅电极图案在第一方向上的尺寸不同于所述沟道分隔图案在所述第一方向上的尺寸，所述第一方向与所述沟道层的上表面平行；以及
电场弛豫图案，其在所述第一方向上从所述栅电极图案的第一侧表面突出，
所述电场弛豫图案和所述栅电极图案形成单个结构。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
所述栅电极图案在所述第一方向上的所述尺寸小于所述沟道分隔图案在所述第一方向上的所述尺寸。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中
所述栅电极图案暴露所述沟道分隔图案的第一上表面，以及
所述沟道分隔图案的所述第一上表面面对所述电场弛豫图案的底表面。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中
所述电场弛豫图案的所述底表面在所述第一方向上的尺寸大于所述沟道分隔图案的所述第一上表面在所述第一方向上的尺寸。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中
所述栅电极图案暴露所述沟道分隔图案的第二上表面，
所述沟道分隔图案的所述第一上表面和所述第二上表面在所述第一方向上彼此隔开，以及
所述沟道分隔图案的所述第一上表面在所述第一方向上的尺寸不同于所述沟道分隔图案的所述第二上表面在所述第一方向上的尺寸。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
第一钝化膜，其在所述电场弛豫图案与所述沟道供应层之间，其中
所述沟道分隔图案提供在所述第一钝化膜与所述沟道供应层之间，以及
所述栅电极图案穿过所述第一钝化膜并且与所述沟道分隔图案直接接触。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：
第一钝化图案，其在所述第一钝化膜与所述沟道分隔图案之间，其中
所述第一钝化膜的绝缘材料不同于所述第一钝化图案的绝缘材料。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中
所述第一钝化膜包括氮化物，以及
所述第一钝化图案包括氧化物。
9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述第一钝化图案在所述栅电极图案的所述第一侧表面上。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括：
第二钝化图案，其在所述栅电极图案的第二侧表面上，所述栅电极图案的所述第二侧表面与所述栅电极图案的所述第一侧表面相反，
其中所述第二钝化图案在所述第一钝化膜与所述沟道分隔图案之间。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中
所述第一钝化图案的侧表面和所述沟道分隔图案的侧表面共面并且彼此紧邻，以及
所述第二钝化图案的侧表面和所述沟道分隔图案的另一侧表面共面并且彼此紧邻。
12.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：
漏电极图案，其在所述沟道层上并且在所述第一方向上与所述栅电极图案隔开；
源电极图案，其在所述栅电极图案的一侧，所述栅电极图案的所述一侧与所述漏电极图案相反；以及
第二辅助漏电极图案，其从所述漏电极图案的侧表面突出，
其中所述第二辅助漏电极图案在所述第一钝化膜上。
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