[发明专利]一种硅烯包覆石墨烯的制备方法在审
| 申请号： | 202011105414.2 | 申请日： | 2020-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN114368743A | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 梁一帆 | 申请（专利权）人： | 佛山市佳汇科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/194 | 分类号： | C01B32/194;C09K5/14;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528000 广东省佛山市顺德区乐从镇乐从社*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅烯包覆 石墨 制备 方法 | ||
1.一种硅烯包覆石墨烯的制备方法，其特征在于：所述硅烯包覆石墨烯的制备方法包括以下步骤：
步骤一：将硅粉末原料置于供料系统中，所述硅粉末原料从供料系统漏出在800-1500℃温度下熔化形成熔滴，熔滴在下落的过程中冷却为纳米级硅晶体；
步骤二：将步骤一制备得到的纳米级硅晶体置于工业纯水中，搅拌均匀得到悬浊液A，所述工业纯水的重量：纳米级硅晶体的重量为＝(60-90)：(10-40)；
步骤三：取纳米级石墨烯置于工业纯水中，搅拌均匀得到悬浊液B，所述工业纯水的重量：纳米级石墨烯的重量为＝(5-20)：(80-95)；
步骤四：将步骤二制备得到的悬浊液A采用高精密快速印刷设备涂布在平板状基材上，第一次加热所述的平板状基材，在所述的平板状基材上形成一层纳米级硅晶体层；
步骤五：在步骤二的纳米级硅晶体层上采用高精密快速喷涂设备喷涂步骤三制得到的悬浊液B，然后第二次加热所述的平板状基材，在所述纳米级硅晶体层上形成一层纳米级石墨烯层；
步骤六：往步骤五制备好的依次覆盖有纳米级硅晶体层和纳米级石墨烯层的平板状基材中通入二氧化碳气体干燥30-60min后得到复合晶体薄膜；
步骤七：将步骤六制得的复合晶体薄膜置于-5-0℃环境中处理20-30min，即得所述的硅烯包覆石墨烯固体。
2.根据权利要求1所述的一种硅烯包覆石墨烯的制备方法，其特征在于：所述步骤一中硅粉末原料的中值粒径为3-6μm。
3.根据权利要求1所述的一种硅烯包覆石墨烯的制备方法，其特征在于：所述步骤一中制得的纳米级硅晶体的中值粒径为100-500nm。
4.根据权利要求1所述的一种硅烯包覆石墨烯的制备方法，其特征在于：所述步骤一中高温融化产生的热量为氢气和氧气燃烧所提供的，所述氧气和氢气的体积之比为2：3。
5.根据权利要求1所述的一种硅烯包覆石墨烯的制备方法，其特征在于：所述步骤二和步骤三中的工业纯水的电阻率为20-30mΩ.cm。
6.根据权利要求1所述的一种硅烯包覆石墨烯的制备方法，其特征在于：所述步骤三中的纳米级石墨烯的中值粒径为100-500nm。
7.根据权利要求1所述的一种硅烯包覆石墨烯的制备方法，其特征在于：所述步骤四和步骤五中的第一次加热和第二次加热的加热温度为60-80℃，加热时间为0.5-1h。
8.根据权利要求1所述的一种硅烯包覆石墨烯的制备方法，其特征在于：所述步骤六中二氧化碳气体流量为10-100sccm。
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