[发明专利]用于选择性蚀刻膜的设备和方法

权利要求书

1.一种用于选择性蚀刻安置在衬底上的膜的方法，所述方法包含：

在半导体处理装置的反应室中提供衬底，所述衬底具有第一层和第二层；

通过使惰性气体流动到远程等离子体单元中而在所述远程等离子体单元中点燃等离子体；

使氢前体气体和氟前体气体作为气态混合物同时流动到所述远程等离子体单元中；

使所述气态混合物流动到所述衬底上，由此在所述气态混合物与所述第一层之间发生反应，使得在使所述第二层维持完整的同时蚀刻所述第一层；

其中所述氟前体气体包含以下中的至少一种：三氟化氮(NF₃)；四氟化碳(CF₄)；六氟化硫(SF₆)；氟化氢(HF)；氢氟酸(HF)与水蒸气；或氟(F₂)；且

其中所述氢前体气体包含以下中的至少一种：氢气(H₂)；氟化氢(HF)；氯化氢(HCl)；或水(H₂O)。

2.根据权利要求1所述的方法，还包含：

使氨前体气体流动到所述反应室中，由此所述氨前体气体与所述气态混合物混合。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述氨前体气体包含以下中的至少一种：氨(NH₃)；肼(N₂H₄)；或尿素(NH₂CONH₂)。

4.根据权利要求1所述的方法，还包含：

在使氢前体气体和氟前体气体同时流动之前，使所述氢前体气体自身流动到所述远程等离子体单元中。

5.根据权利要求1所述的方法，还包含：

在使氢前体气体和氟前体气体同时流动之前，使所述氟前体气体自身流动到所述远程等离子体单元中。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一层包含以下中的至少一种：氧化硅；氧化锗；氧化铝；氧化钴；氧化钨；硅；锗；铝；钴；钨；或各种金属的合金。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二层包含以下中的至少一种：氮化硅；金属氮化物；或氮化铝。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述惰性气体包含以下中的至少一种：氩气；氪气；氦气；氙气或氮气。

9.一种用于选择性蚀刻安置在衬底上的膜的系统，所述系统包含：

反应室，其被配置成保持和处理衬底，所述衬底具有第一层和第二层；

远程等离子体单元，其联接到所述反应室；

氟前体气体源，其被配置成向所述远程等离子体单元提供氟前体气体，所述氟前体气体包含以下中的至少一种：三氟化氮(NF₃)；四氟化碳(CF₄)；六氟化硫(SF₆)；氟化氢(HF)；氢氟酸(HF)与水蒸气；或氟(F₂)；

氢前体气体源，其被配置成向所述远程等离子体单元提供氢前体气体，所述氢前体气体包含以下中的至少一种：氢前体气体包含以下中的至少一种：氢气(H₂)；氟化氢(HF)；氯化氢(HCl)；或水(H₂O)；以及

惰性气体源，其被配置成向所述远程等离子体单元提供惰性气体，其中所述惰性气体被点燃以在所述远程等离子体单元中形成等离子体；

其中所述远程等离子体单元被配置成接收所述氟前体气体和所述氢前体气体的共流；并且

其中所述气态混合物流动到所述衬底上，使得在使所述第二层维持完整的同时蚀刻所述第一层。

10.根据权利要求9所述的方法，还包含：

氨前体气体源，其被配置成向所述反应室提供氨前体气体。