[发明专利]SnO2

权利要求书

1.SnO₂基同质结自驱动紫外光光电探测器，其特征在于，包括：

衬底；

n-NbSnO₂薄膜层，位于所述衬底表面；

Mg掺杂p型导电MgSnO₂薄膜层，位于所述n-NbSnO₂薄膜层远离所述衬底一侧的表面，所述Mg掺杂p型导电MgSnO₂薄膜层在所述n-NbSnO₂薄膜层表面的正投影不完全覆盖所述n-NbSnO₂薄膜层；

第一金属电极层，位于所述Mg掺杂p型导电MgSnO₂薄膜层远离衬底一侧的表面；

第二金属电极层，位于所述n-NbSnO₂薄膜层远离所述衬底一侧且未被所述Mg掺杂p型导电MgSnO₂薄膜层覆盖的表面。

2.如权利要求1所述的SnO₂基同质结自驱动紫外光光电探测器，其特征在于，所述第一金属电极层和所述第二金属电极层均为金电极层或铝电极层。

3.如权利要求1所述的SnO₂基同质结自驱动紫外光光电探测器，其特征在于，还包括n-SnO₂薄膜层，所述n-SnO₂薄膜层位于所述n-NbSnO₂薄膜层远离衬底一侧的表面，所述n-SnO₂薄膜层在所述n-NbSnO₂薄膜层表面的正投影不完全覆盖所述n-NbSnO₂薄膜层，所述Mg掺杂p型导电MgSnO₂薄膜层位于所述n-SnO₂薄膜层远离所述衬底一侧的表面。

4.SnO₂基同质结自驱动紫外光光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一衬底；

提供NbSnO₂陶瓷靶材和MgSnO₂陶瓷靶材；

利用所述NbSnO₂陶瓷靶材在所述衬底表面制备n-NbSnO₂薄膜层；

利用所述MgSnO₂陶瓷靶材在所述n-NbSnO₂薄膜层远离衬底一侧的表面制备镁掺杂p型导电MgSnO₂薄膜层，所述镁掺杂p型导电MgSnO₂薄膜层不完全覆盖所述n-NbSnO₂薄膜层；

在所述镁掺杂p型导电MgSnO₂薄膜层远离衬底一侧的表面制备第一金属电极层；

在n-NbSnO₂薄膜层远离衬底一侧且未被所述Mg掺杂p型导电MgSnO₂薄膜层覆盖的表面制备第二金属电极层。

5.如权利要求4所述的SnO₂基同质结自驱动紫外光光电探测器的制备方法，其特征在于，利用所述NbSnO₂陶瓷靶材在所述衬底表面制备n-NbSnO₂薄膜层具体包括：将所述衬底置于脉冲激光沉积系统真空腔体中，并将衬底加热至700℃再向真空腔体中通入氧气，调节生长室压强为2Pa，利用NbSnO₂陶瓷靶材采用脉冲激光烧蚀的方法在衬底上制备得到n-NbSnO₂薄膜层。

6.如权利要求4所述的SnO₂基同质结自驱动紫外光光电探测器的制备方法，其特征在于，利用所述MgSnO₂陶瓷靶材在所述NbSnO₂薄膜层远离衬底一侧的表面制备镁掺杂p型导电MgSnO₂薄膜层包括：将衬底置于脉冲激光沉积系统真空腔体中，并将衬底加热至700℃再向真空腔体中通入氧气，调节生长室压强为2Pa，利用MgSnO₂陶瓷靶材采用脉冲激光烧蚀的方法在衬底上制备得到镁掺杂p型导电MgSnO₂薄膜层。