[发明专利]MEMS换能器、MEMS器件和麦克风组件

权利要求书

1.一种MEMS换能器，所述MEMS换能器包括：

换能器基板；

对电极，所述对电极联接至所述换能器基板；以及

振膜，所述振膜平行于所述对电极而定向，并且与所述对电极间隔开以形成间隙，

其中，所述MEMS换能器的后腔容积是位于所述对电极与所述振膜之间的封闭容积，并且其中，在所述MEMS换能器的音频频带的上限20kHz处，所述对电极与所述振膜之间的所述间隙的高度小于所述后腔容积内的热边界层厚度的两倍。

2.根据权利要求1所述的MEMS换能器，其中，所述对电极嵌入在所述换能器基板内。

3.根据权利要求1所述的MEMS换能器，其中，在所述对电极与所述振膜之间不存在偏置电压的情况下，所述对电极与所述振膜不平行。

4.一种MEMS器件，所述MEMS器件包括：

集成电路；以及

MEMS换能器，所述MEMS换能器形成在所述集成电路上，其中，所述MEMS换能器包括：

对电极；

振膜，所述振膜平行于所述对电极而定向，并且与所述对电极间隔开以形成间隙，

其中，所述MEMS换能器的后腔容积是所述对电极与所述振膜之间的封闭容积，并且其中，在所述MEMS换能器的音频频带的上限20kHz处，所述对电极与所述振膜之间的所述间隙的高度小于所述后腔容积内的热边界层厚度的两倍。

5.根据权利要求4所述的MEMS器件，其中，所述对电极形成在所述集成电路的上表面上。

6.根据权利要求4所述的MEMS器件，其中，所述对电极通过嵌入在所述集成电路内的金属层而连接至所述集成电路。

7.根据权利要求4所述的MEMS器件，其中，在所述对电极与所述振膜之间不存在偏置电压的情况下，所述对电极与所述振膜不平行。

8.一种麦克风组件，所述麦克风组件包括：

换能器基板；

振膜，所述振膜与所述换能器基板间隔开以形成后腔容积，所述后腔容积具有表面边界，所述后腔容积至少包括所述振膜和所述换能器基板，

其中，在音频频带的上限20kHz处，所述后腔容积内的任何位置距所述表面边界的距离在单个热边界层厚度内。

9.根据权利要求8所述的麦克风组件，所述麦克风组件还包括设置在所述振膜上的压电层。

10.根据权利要求8所述的麦克风组件，其中，所述换能器基板包括远离所述振膜延伸的多个通道。

11.根据权利要求8所述的麦克风组件，其中，所述换能器基板包括腔室，在所述腔室中设置有多个柱。

12.根据权利要求8所述的麦克风组件，其中，所述换能器基板和所述振膜一起形成MEMS器件，其中，所述麦克风组件还包括壳体，所述壳体包括：基座；盖，所述盖联接至所述基座；以及声音端口，所述声音端口设置在所述基座和所述盖中的一者内，其中，所述壳体规定了封闭容积，并且其中，所述MEMS器件联接至所述基座并且设置在所述封闭容积内。

13.根据权利要求12所述的麦克风组件，其中，所述声音端口设置在所述基座内，其中，所述MEMS器件按照使得所述振膜面向所述基座的方式倒装接合至所述基座。

14.根据权利要求12所述的麦克风组件，所述麦克风组件还包括集成电路，所述集成电路联接至所述基座并且设置在所述封闭容积内，其中，所述MEMS器件形成在所述集成电路上。