[发明专利]一种碲掺杂锗酸铋晶体材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种碲掺杂锗酸铋晶体材料，其特征在于，该材料的分子式为Te_4xBi_4(1-x)Ge₃O₁₂，其中，x的取值范围为0.005～0.02，x代表Te离子的掺杂浓度，Te离子取代Bi离子格位；所述晶体材料的晶系为立方晶系，空间群为I-43d，晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝4。

2.权利要求1所述的一种碲掺杂锗酸铋晶体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1)将TeO₂、Bi₂O₃、GeO₂高纯原料按照化学通式进行称量：Te_4xBi_4(1-x)Ge₃O₁₂，其中x为熔体中掺杂Te离子的浓度；

步骤2)原料称量后，在玛瑙研钵内混合均匀，塑型成棒状后密封，在70MPa 下冷等静压2min，然后在空气中于500℃烧结20h，烧结好的原料放在坩埚内备用；

步骤3)用氧化锆作为保温罩，把经步骤2)处理的原料放入铂金坩埚，装入微下拉炉，进而升温熔化准备生长；微下拉速度为0.2mm/min，晶体生长完成后，缓慢降至室温并取出晶体，即可。

3.根据权利要求2所述的一种碲掺杂锗酸铋晶体材料的制备方法，其特征在于，步骤1)所述TeO₂的纯度≥99.999％，所述Bi₂O₃的纯度≥99.999％，所述GeO₂的纯度≥99.999％。

4.权利要求1所述的一种碲掺杂锗酸铋晶体材料在近红外激光方面的应用。