[发明专利]一种射频功率放大器的自适应电路结构及射频功率放大器

说明书

本申请公开一种射频功率放大器的自适应电路结构及射频功率放大器，其中，自适应电路结构通过在供电电压与第一电容之间设置第二MOS管，第二MOS管相当于等效为一个可变电阻，使得流经第二MOS管的栅极的电流几乎为零，从而使得第一MOS管的漏极电流只流经第二电阻，随着输入信号功率不断增加，第一MOS管的栅极电压不断上升，使得第一MOS管的漏极电流上升，进而使得第二电阻电压增加，接着第二MOS管的栅级电位下降，等效电阻上升，最后使得反馈回路电流下降，因此，射频功率放大器的增益上升，从而改善功率放大器的AM‑AM特性；而且本申请的自适应电路结构简单，成本较低，解决了现有技术不能同时兼顾改善射频功率放大器的AM‑AM特性与较低成本的技术问题。

技术领域

本申请涉及通信技术领域，尤其涉及一种射频功率放大器的自适应电路结构及射频功率放大器。

背景技术

线性度是表征射频功率放大器在正常工作时，输出信号与输入信号失真量的重要指标。随着无线通信标准不断提升，尤其是进入5G阶段，信号的调制方式愈发复杂，射频功率放大器在高峰均比(PAPR)的情况下能准确地放大含有信息的输入信号变得尤为重要。

目前，主要通过负反馈线性化技术(如图7所示)以及数字自适应预失真技术(如图8所示)来改善射频功率放大器的线性度，从而改善射频功率放大器的AM-AM特性。然而负反馈线性化技术虽然能提高功率放大器AM-AM特性，但是会牺牲射频功率放大器的增益；而数字自适应预失真技术能提高射频功率放大器的AM-AM特性，但也存在系统结构复杂，构建系统成本高的问题。

发明内容

本申请的目的在于提供一种射频功率放大器的自适应电路结构及射频功率放大器，用于解决现有技术不能同时兼顾改善射频功率放大器的AM-AM特性与较低成本的技术问题。

有鉴于此，本申请第一方面提供了一种射频功率放大器的自适应电路结构，其特征在于，包括：控制电路、反馈回路和第一电容；所述控制电路包括：第一电阻、第二电阻、第二电容和第一MOS管；所述反馈回路包括：第二MOS管；

所述第二电容的第一端与射频功率放大器件的输入端相连，第二端分别与所述第一电阻的第一端和所述第一MOS管的栅极相连，所述第一MOS管的源极接地，所述第一电阻的第二端连接于偏置电压；

所述第一MOS管的漏极分别与所述第二电阻的第一端和所述第二MOS管的栅极相连，所述第二MOS管的源极与所述射频功率放大器件的输入端相连，所述第二电阻的第二端连接于供电电压；

所述第二MOS管的漏极与所述第一电容的第一端相连，所述第一电容的第二端与所述射频功率放大器件的输出端相连。

进一步地，所述反馈回路还包括：第三电阻；

所述第三电阻的第一端与所述第二MOS管的漏极相连，第二端与所述第一电容的第一端相连。

进一步地，所述控制电路还包括：第四电阻；

所述第四电阻的第一端分别与所述第一MOS管的漏极和所述第二电阻的第一端相连，第二端与所述第二MOS管的栅极相连。

进一步地，还包括：输入匹配电路和输出匹配电路；

所述输入匹配电路的第一端与所述增益补偿网络的第一端相连，第二端与所述第二电容的第一端相连；

所述输出匹配电路的第一端分别与所述射频功率放大器件的输出端和所述第一电容的第二端相连。

进一步地，还包括：增益补偿网络；所述增益补偿网络包括：第五电阻和第三电容；所述第五电阻的第一端与所述第三电容的第一端相连，所述第五电阻的第二端与所述第三电容的第二端相连；

所述增益补偿网络的第一端与所述第二电容的第一端相连，第二端分别与所述射频功率放大器件的输入端和所述第二MOS管的源极相连。