[发明专利]一种柔性衬底高迁移率氧化物半导体薄膜室温生长与后处理方法

权利要求书

1.一种柔性衬底高迁移率氧化物半导体薄膜室温生长与后处理方法，其特征在于：在有机柔性衬底上氧化气氛室温生长氧化物半导体薄膜，然后进行后处理，所述后处理方法依次包括Ar等离子体处理、脉冲激光处理、O₂等离子体处理以及紫外光处理四个步骤，且四个步骤均在室温下操作、所述柔性衬底不加热；所述氧化气氛室温生长在N₂O-O₂混合气氛中进行，所述脉冲激光处理在N₂工作气氛中进行。

2.根据权利要求1所述一种柔性衬底高迁移率氧化物半导体薄膜室温生长与后处理方法，其特征在于：所述氧化气氛室温生长为：采用薄膜沉积方法，以N₂O-O₂混合气体为工作气氛，气氛总压强为2~6Pa，N₂O:O₂分压比为3:7~1:9，在有机柔性衬底上室温生长氧化物半导体薄膜。

3.根据权利要求1所述一种柔性衬底高迁移率氧化物半导体薄膜室温生长与后处理方法，其特征在于：所述Ar等离子体处理为：Ar气压强5～7Pa，功率70～80W，Ar等离子体轰击所述氧化物半导体薄膜12～16min。

4.根据权利要求1所述一种柔性衬底高迁移率氧化物半导体薄膜室温生长与后处理方法，其特征在于：所述脉冲激光处理为：N₂工作气氛，激光功率5~9mJ/cm²，对所述氧化物半导体薄膜照射时间25~30ns，脉冲次数1次。

5.根据权利要求1所述一种柔性衬底高迁移率氧化物半导体薄膜室温生长与后处理方法，其特征在于：所述O₂等离子体处理为：O₂气压强7～10Pa，功率15～20W，O₂等离子体轰击所述氧化物半导体薄膜40～45min。

6.根据权利要求1所述一种柔性衬底高迁移率氧化物半导体薄膜室温生长与后处理方法，其特征在于：所述紫外光处理为：254nm紫外光，功率300~400mW/cm²，对所述氧化物半导体薄膜照射时间25~30min。

7.根据权利要求1所述一种柔性衬底高迁移率氧化物半导体薄膜室温生长与后处理方法，其特征在于：所述高迁移率指Hall迁移率超过100cm²/Vs。

8.根据权利要求1所述一种柔性衬底高迁移率氧化物半导体薄膜室温生长与后处理方法，其特征在于： 所述氧化物半导体薄膜为ZnO、SnO₂、In₂O₃、Ga₂O₃、TiO₂、InGaZnO、ZnAlSnO薄膜中的任一种。

9.根据权利要求1所述一种柔性衬底高迁移率氧化物半导体薄膜室温生长与后处理方法，其特征在于：所述柔性衬底为有机聚合物柔性衬底。