[发明专利]一种薄膜体声波谐振器在审

专利信息
申请号: 202011097293.1 申请日: 2020-10-14
公开(公告)号: CN112242826A 公开(公告)日: 2021-01-19
发明(设计)人: 窦韶旭;吴珂;韩琦;吕丽英;吴一雷;杨帅;王超 申请(专利权)人: 瑞声声学科技(深圳)有限公司
主分类号: H03H9/02 分类号: H03H9/02;H03H9/17
代理公司: 深圳君信诚知识产权代理事务所(普通合伙) 44636 代理人: 刘伟
地址: 518057 广东省深圳市南山区高*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 薄膜 声波 谐振器
【说明书】:

发明提供了一种薄膜体声波谐振器,薄膜体声波谐振器包括:基底;声反射结构,声反射结构从基底上表面向下嵌入基底中或设置于基底上方;压电振动组件,压电振动组件设于声反射结构上方,压电振动组件包括压电功能膜、以及设置在压电功能膜两相对表面上的第一电极、第二电极;质量负载环,质量负载环具有一通孔空腔,质量负载环设于压电振动组件的上方或下方;隔离层,隔离层设于质量负载环与压电振动组件之间;声反射结构、第一电极、压电功能膜与第二电极的投影重叠区域界定一有效区域;质量负载环沿有效区域的边缘区域设置,质量负载环的内边沿小于有效区域的外边沿,其外边沿大于、等于或者小于有效区域的外边沿。

【技术领域】

本发明涉及半导体器件领域,尤其涉及一种薄膜体声波谐振器。

【背景技术】

薄膜体声波谐振器是无线收发器中实现镜像消除、寄生滤波和信道选择等功能的主要器件,其具有较高的Q值(品质因数),并易于实现微型化。

薄膜体声波谐振器通常包括:基底、从所述基底上表面向下嵌入基底中的或在所述基底上方的声反射结构;在所述声反射结构上方的第一电极;在所述第一电极上方的压电功能膜;以及在所述压电功能膜上方的第二电极。薄膜体声波谐振器的Q值受到压电功能膜能量损耗因素的影响,特别是对于边缘区域而言,为此,在谐振器的第一电极或第二电极上设置一质量负载环,通过质量负载环俘获转化成侧向的声波,减小薄膜体声波谐振器边缘区域的能量损耗。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种薄膜体声波谐振器,用于解决现有技术中薄膜体声波谐振器Q值低的问题。

本发明的技术方案如下:

一种薄膜体声波谐振器,所述薄膜体声波谐振器包括:

基底;

声反射结构,所述声反射结构从所述基底上表面向下嵌入所述基底中或设置于所述基底上方;

压电振动组件,所述压电振动组件设于所述声反射结构上方,所述压电振动组件包括压电功能膜、以及设置在所述压电功能膜两相对表面上的第一电极、第二电极;

质量负载环,所述质量负载环具有一通孔空腔,所述质量负载环设于所述压电振动组件的上方或下方;

隔离层,所述隔离层设于所述质量负载环与所述压电振动组件之间;

所述声反射结构、所述第一电极、所述压电功能膜与所述第二电极的投影重叠区域界定一有效区域;

所述质量负载环沿所述有效区域的边缘区域设置,所述质量负载环的内边沿小于所述有效区域的外边沿,所述质量负载环的外边沿大于、等于或者小于所述有效区域的外边沿。

本发明的有益效果在于:

由于压电振动组件与质量负载环之间设置有一隔离层,进一步减小压电功能膜在侧向的能量损失,提高薄膜体声波谐振器的Q值。

【附图说明】

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例一的薄膜体声波谐振器的结构示意图。

图2为图1的A-A剖面结构示意图。

图3为本发明实施例二的薄膜体声波谐振器的剖面结构示意图。

图4为本发明实施例三的薄膜体声波谐振器的剖面结构示意图。

【具体实施方式】

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