[发明专利]研磨装置在审

专利信息
申请号: 202011096050.6 申请日: 2020-10-14
公开(公告)号: CN112658972A 公开(公告)日: 2021-04-16
发明(设计)人: 椛沢雅志;本岛靖之;松尾尚典;神木启佑 申请(专利权)人: 株式会社荏原制作所
主分类号: B24B37/015 分类号: B24B37/015;B24B37/34;B24B37/013;B24B37/20
代理公司: 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 代理人: 张丽颖
地址: 日本国东京都*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 研磨 装置
【说明书】:

提供一种能够不在晶片等基板产生划痕等缺陷地对研磨垫的表面温度进行调节的研磨装置。研磨装置(PA)具备非接触型的垫温度调节装置(5)及垫温度测定器(10)。在研磨台(2)的旋转方向上,垫温度测定器(10)相邻配置在垫温度调节装置(5)的下游侧。

技术领域

本发明涉及一种研磨装置。

背景技术

存在一种研磨装置,将晶片保持在顶环并使晶片旋转,进一步将晶片按压在旋转的研磨台上的研磨垫,从而对晶片的表面进行研磨。在研磨过程中,向研磨垫供给研磨液(浆料),通过研磨液的化学作用与包含在研磨液中的磨粒的机械作用使晶片的表面平坦化。

晶片的研磨率不仅依存于晶片对研磨垫的研磨负荷,还依存于研磨垫的表面温度。这是因为研磨液对晶片的化学作用依存于温度。因此,在半导体器件的制造中,为了提高晶片的研磨率并进一步保持恒定,将晶片研磨中的研磨垫的表面温度保持为最佳值是重要的。因此,存在对研磨垫的表面温度进行调节的垫温度调节装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2005-56987号公报

发明所要解决的技术问题

然而,由于在垫温度调节装置中,使作为其构成要素之一的加热物体与研磨垫接触,因此加热物体必然与研磨垫上的研磨液接触。因此,在这种构成的情况下,有因加热物体与研磨垫的接触而晶体受到污染的担忧。并且,如果研磨液附着(固结)于加热物体,则有如下担忧:附着的研磨液作为异物从加热物体上掉落,并与晶片接触。其结果是,会在晶片产生划痕等缺陷。

发明内容

因此,本发明的目的在于提供一种能够不在晶片等基板产生划痕等缺陷地对研磨垫的表面温度进行调节的研磨装置。

用于解决技术问题的技术手段

在一方式中,提供一种研磨装置,具备:研磨台,该研磨台对研磨垫进行支承;研磨头,该研磨头将基板按压向所述研磨垫;非接触型的垫温度调节装置,该温度调节装置配置在所述研磨垫的上方;垫温度测定器,该垫温度测定器对所述研磨垫的表面温度进行测定;以及控制装置,该控制装置基于由所述垫温度测定器测定出的所述研磨垫的表面温度而对所述垫温度调节装置进行控制,在所述研磨台的旋转方向上,所述垫温度测定器相邻配置在所述垫温度调节装置的下游侧。

在一方式中,所述垫温度调节装置具备红外线加热器,该红外线加热器向所述研磨垫的表面放射红外线。

在一方式中,所述垫温度调节装置具备反射板,该反射板将从所述红外线加热器放射出的红外线朝向所述研磨垫进行反射。

在一方式中,所述垫温度调节装置具备吸引管嘴,该吸引管嘴通过吸引所述研磨垫的表面附近的热空气来降低气氛温度。

在一方式中,所述垫温度调节装置具备风扇,该风扇形成朝向所述研磨垫的表面的空气流。

在一方式中,所述垫温度调节装置具备在所述研磨垫的半径方向上排列的多个红外线加热器,所述控制装置单独地控制所述多个红外线加热器中的每一个,从而使所述研磨垫的表面温度局部地变化。

在一方式中,所述研磨装置具备膜厚测定器,该膜厚测定器对所述基板的膜厚进行测定,所述控制装置基于由所述膜厚测定器测定出的所述基板的膜厚来决定所述研磨垫的目标温度,并且基于所决定的所述目标温度来控制所述垫温度调节装置。

在一方式中,所述垫温度调节装置具备加热流体喷嘴,该加热流体喷嘴向所述研磨垫的表面吹附加热流体。

在一方式中,所述垫温度调节装置具备吸引管嘴,该吸引管嘴对所述研磨垫的表面的热量进行吸引,所述加热流体喷嘴具备多个供给口,该多个供给口配置在所述吸引管嘴的吸引口的周围,以使加热流体朝向所述吸引管嘴的吸引口流动。

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