[发明专利]基于自对准双重图形的产品良率在线评估系统及评估方法有效
申请号: | 202011094785.5 | 申请日: | 2020-10-14 |
公开(公告)号: | CN112309883B | 公开(公告)日: | 2023-09-19 |
发明(设计)人: | 孙天拓;任佳;高杏 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 栾美洁 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 对准 双重 图形 产品 在线 评估 系统 方法 | ||
1.一种基于自对准双重图形的产品良率在线评估方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤S1,自对准双重图形刻蚀完成后,从晶圆的每个shot中选择相同位置的芯片,并在所述芯片的阵列区的最边缘的区域中选定相邻N条线路和/或相邻N条间隙,一个shot是一个曝光单元,其中N=2M且M为自然数;
步骤S2,测量每个shot中被选中的N条线路的关键尺寸、被选中的N条间隙的关键尺寸;
步骤S3,将每个shot中被测量的所述线路、被测量的所述间隙分别分成M组,每组线路中的两条线路相邻且每组间隙中的两条间隙相邻;
步骤S4,计算每个shot中各组线路的相邻线路关键尺寸差值DiffLine、各组间隙的相邻间隙关键尺寸差值DiffSpace;
步骤S5,将每个shot的M个相邻线路关键尺寸差值DiffLine分别与第一规格限、第一控制限进行对比,如果某个shot的第i个相邻线路关键尺寸差值DiffLine≤第一规格限,那么该shot的第i组线路的线路规格限标识为1,否则该shot的第i组线路的线路规格限标识为0;如果某个shot的第i个相邻线路关键尺寸差值DiffLine≤第一控制限,那么该shot的第i组线路的线路控制限标识为1,否则该shot的第i组线路的线路控制限标识为0;
将每个shot的M个相邻间隙关键尺寸差值DiffSpace分别与第二规格限、第二控制限进行对比,如果某个shot的第i个相邻间隙关键尺寸差值DiffSpace≤第二规格限,那么该shot的第i组间隙的间隙规格限标识为1,否则该shot的第i组间隙的间隙规格限标识为0;如果某个shot的第i个相邻间隙关键尺寸差值DiffSpace≤第二控制限,那么该shot的第i组间隙的间隙控制限标识为1,否则该shot的第i组间隙的间隙控制限标识为0;其中,i为1到M的自然数;
步骤S6,统计得到所述晶圆的线路规格限良率Yieldslx、线路控制限良率Yieldclx、间隙规格限良率Yieldsly、间隙控制限良率Yieldcly;
步骤S7,根据所述晶圆的线路规格限良率Yieldslx、线路控制限良率Yieldclx、间隙规格限良率Yieldsly、间隙控制限良率Yieldcly提前评估SADP图案的产品良率。
2.根据权利要求1所述的基于自对准双重图形的产品良率在线评估方法,其特征在于,在步骤S7中,当所述晶圆的线路规格限良率Yieldslx、线路控制限良率Yieldclx、间隙规格限良率Yieldsly、间隙控制限良率Yieldcly中的至少一个低于良率阈值时,使进行自对准双重图形刻蚀工艺的产线停止并报废低于良率阈值的晶圆。
3.根据权利要求1所述的基于自对准双重图形的产品良率在线评估方法,其特征在于,在步骤S6中,根据线路规格限标识为1的shot的数量以及晶圆内shot的总数量得到所述晶圆的线路规格限良率Yieldslx,根据线路控制限标识为1的shot的数量以及晶圆内shot的总数量得到所述晶圆的线路控制限良率Yieldclx,根据间隙规格限标识为1的shot的数量以及晶圆内shot的总数量得到所述晶圆的间隙规格限良率Yieldsly,根据间隙控制限标识为1的shot的数量以及晶圆内shot的总数量得到所述晶圆的间隙控制限良率Yieldcly。
4.根据权利要求1所述的基于自对准双重图形的产品良率在线评估方法,其特征在于,在步骤S1中,从每个shot中选择相同位置的两条相邻线路和相同位置的两条相邻间隔。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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