[发明专利]显示设备在审
| 申请号: | 202011093173.4 | 申请日: | 2016-06-15 |
| 公开(公告)号: | CN112133710A | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
| 发明(设计)人: | 李冠锋 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李永叶 |
| 地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 设备 | ||
本发明是关于一种显示设备,包括:一基板;一第一栅极及一第二栅极,设于基板上;一栅极绝缘层,设于第一栅极上;一第一有源层,设于栅极绝缘层上且与第一栅极对应,且包含一多晶硅层;一第一绝缘层,设于第一有源层上;一第二有源层,设于第一绝缘层上且与第二栅极对应,且包含一金属氧化物层;一第一源极、一第一漏极、一第二源极及一第二漏极,其中,第一源极及第一漏极设于第一绝缘层上且通过多个通孔以与第一有源层电性连接,而第二源极及第二漏极设于第二有源层上并与第二有源层电性连接;以及一导电层,覆盖第二源极和第二漏极。
技术领域
本发明的主要目的在提供一种显示设备,尤指一种同时包含有低温多晶硅薄膜晶体管单元及金属氧化物薄膜晶体管单元的显示设备。
背景技术
随着显示器技术不断进步,所有的显示面板均朝体积小、厚度薄、重量轻等趋势发展,故目前市面上主流的显示器装置已由以往的阴极射线管发展成薄型显示器,如液晶显示面板、有机发光二极管显示面板或无机发光二极管显示面板等。其中,薄型显示器可应用的领域相当多,举凡日常生活中使用的手机、笔记本电脑、摄影机、照相机、音乐播放器、移动导航装置、电视等显示面板,大多数均使用该些显示面板。
虽然液晶显示设备或有机发光二极管显示设备已为市面上常见的显示设备,特别是液晶显示设备的技术更是相当成熟,但随着显示设备不断发展且消费者对显示设备的显示质量要求日趋提高,各家厂商无不极力发展出具有更高显示质量的显示设备。其中,除了显示区上的薄膜晶体管结构外,非显示区中的栅极驱动电路区域所使用的薄膜晶体管组件结构,也为影响显示设备整体效率的因素的一。
若显示区与栅极驱动电路区域均使用薄膜晶体管组件,两者若为不同薄膜晶体管组件时,两者的工艺会相互影响,也会造成显示设备整体的工艺复杂化(例如:需更多次化学气相沉积工艺)。有鉴于此,目前仍需针对显示区与栅极驱动电路区域的薄膜晶体管组件结构进行改良,以在具有良好薄膜晶体管组件特性下,简化两者的工艺及结构。
发明内容
本发明的主要目的在提供一种显示设备,其同时包含有低温多晶硅薄膜晶体管单元及金属氧化物薄膜晶体管单元。
于本发明的一实施例中,显示设备可包括:一基板;一第一栅极及一第二栅极,设于该基板上;一栅极绝缘层,设于该第一栅极上;一第一有源层,设于该栅极绝缘层上且与该第一栅极对应,其中该第一有源层包含一多晶硅层;一第一绝缘层,设于该第一有源层上;一第二有源层,设于该第一绝缘层上且与该第二栅极对应,其中该第二有源层包含一金属氧化物层;一第一源极、一第一漏极、一第二源极及一第二漏极,其中,该第一源极及该第一漏极设于该第一绝缘层上且通过多个通孔以与该第一有源层电性连接,而该第二源极及该第二漏极设于该第二有源层上并与该第二有源层电性连接;以及一导电层,其中该导电层覆盖该第二源极和该第二漏极。
由前述可知,本发明的显示设备同时包括第一有源层为多晶硅层的第一薄膜晶体管单元及第二有源层为金属氧化物层的第二薄膜晶体管单元。特别是,通过调整第一及第二有源层与栅极绝缘层及第一绝缘层的层与层间的关系,可使得基板上组件结构更加简化,并可简化形成第一及第二薄膜晶体管单元的工艺;同时,所制得的第一及第二薄膜晶体管单元,仍能保有良好的薄膜晶体管单元特性。
附图说明
图1A是本发明实施例1的显示设备的上视图;
图1B是本发明实施例1的显示设备的剖面示意图;
图2A至图2G是本发明实施例1的显示设备的基板上组件的制作流程剖面示意图;
图3A至图3E是本发明实施例2的显示设备的基板上组件的制作流程剖面示意图;
图4是本发明实施例2的显示设备的剖面示意图;
图5A至图5H是本发明实施例3的显示设备的基板上组件的制作流程剖面示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于群创光电股份有限公司,未经群创光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011093173.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种全固态硫锂电池
- 下一篇:一种生物工程发酵硒产品的制作办法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





