[发明专利]制造半导体结构的方法

权利要求书

1.一种制造半导体结构的方法，其特征在于，所述方法包括：

在基底上形成第一介电层；

在所述第一介电层上形成第二介电层；

使用光罩以施加光阻，从而覆盖所述第二介电层的第一部分；

移除所述第二介电层的第二部分，且保留所述第二介电层的所述第一部分；及

移除所述光阻；

其中，在第一区域中，所述第二介电层的所述第一部分覆盖所述第一介电层的第一部分，在第二区域中，所述第二介电层的所述第二部分覆盖所述第一介电层的第二部分，所述第一区域对应于存储器装置，且所述第二区域对应于逻辑装置。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

执行第一氧化程序以增加所述第一介电层的所述第二部分的厚度；

其中所述第一介电层的所述第一部分的厚度实质上维持不变。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一氧化程序包括物理气相沉积程序、化学气相沉积程序、电浆增强化学气相沉积程序及热氧化程序之一。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

植入离子，所述些离子穿透所述第一介电层的所述第二部分以进入所述基底，以形成复数个阱。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

执行逻辑制造程序以在所述第二区域形成所述逻辑装置。

6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

移除所述第一介电层的所述第二部分，且保留所述第一介电层的所述第一部分；

其中，所述第二介电层的所述第一部分覆盖所述第一介电层的所述第一部分。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

移除所述第二介电层的所述第一部分；及

执行第二氧化程序，以在所述第二区域形成第三介电层，且增加所述第一介电层的所述第一部分的厚度。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二氧化程序包括物理气相沉积程序、化学气相沉积程序、电浆增强化学气相沉积程序及热氧化程序之一。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，执行所述第二氧化程序后，所述第三介电层的厚度小于所述第一介电层的所述第一部分的厚度。

10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第三介电层包括氧化层。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介电层包括牺牲氧化层。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二介电层包括氮化硅层。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述逻辑装置包括输入输出装置。