[发明专利]一种反熔丝一次性可编程存储单元

权利要求书

1.一种反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，包括：

基板；

在所述基板上形成的选择晶体管，其中所述选择晶体管包括：

形成在所述基板上的第一栅极介电层，

第一栅极，形成在所述栅极介电层上；

第一高压结，形成在所述基板中；以及

形成在所述基板中的第一低压结，

其中，所述选择晶体管的源极和漏极分别形成所述第一高压结和所述第一低压结，或者分别由所述第一低压结和所述第一高压结形成；以及

形成在所述基板上的反熔丝电容器，其中所述反熔丝电容器包括：

形成在所述基板上的第二栅极介电层，

第二栅极，形成在所述栅极介电层上；

第二高压结，形成在所述基板中；以及

形成在所述基板中的第二低压结，

其中，所述反熔丝电容器的源极和漏极分别形成所述第二高压结和所述第二低压结，或者分别由所述第二低压结和所述第二高压结形成。

2.根据权利要求1所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，其中所述第一高压结或所述第二高压结具有高于3.3伏的阈值结击穿电压。

3.根据权利要求2所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，其中所述第一高压结或所述第二高压结具有高于5伏的阈值结击穿电压。

4.根据权利要求1所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，其中所述第一低压结或所述第二低压结具有低于3.2伏的阈值结击穿电压。

5.根据权利要求4所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，其中所述第一低压结或所述第二低压结具有低于2.3伏的阈值结击穿电压。

6.根据权利要求1所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，其中所述第一高压结和所述第二高压结电连接。

7.根据权利要求1所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，其中所述第一高压结或所述第二高压结中的至少一个包括具有不同掺杂水平的两个掺杂区。

8.根据权利要求7所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，其中，所述第一高压结包括与所述第一栅极介电层相邻的第一掺杂区，所述第一掺杂区在比远离所述第一栅极介电层的第二掺杂区低的掺杂水平下邻近所述第一栅极介电层。

9.根据权利要求7所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，其中所述第二高压结包括与所述第二栅极介电层相邻的第一掺杂区，所述第一掺杂区在比远离所述第二栅极介电层的第二掺杂区低的掺杂水平下邻近所述第二栅极介电层。

10.根据权利要求7所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，其中所述两个掺杂区中的一者具有在3x10¹⁷-1x10¹⁹原子/cm^-3的范围内的掺杂剂水平的电活性浓度，其中所述两个掺杂区中的另一者具有高于2x10¹⁹原子/cm^-3的掺杂剂水平的电活性浓度。

11.根据权利要求1所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，其中所述第一低压结或所述第二低压结中的至少一个包括具有不同掺杂水平的两个掺杂区。

12.根据权利要求11所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，其中所述第一低电压结包括在比远离所述第一栅极介电层的第二掺杂区低的掺杂水平下与所述第一栅极介电层相邻的第一掺杂区。

13.根据权利要求11所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，其中所述第二低电压结包括在比远离所述第二栅极电介质层的第二掺杂区低的掺杂水平下与所述第二栅极电介质层相邻的第一掺杂区。