[发明专利]一种超导电缆通电导体制造方法在审
| 申请号: | 202011090496.8 | 申请日: | 2020-10-13 |
| 公开(公告)号: | CN112331404A | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
| 发明(设计)人: | 吴小辰;胡子珩;章彬;汪桢子;汪伟;王哲;罗智奕;胡力广;陈腾彪 | 申请(专利权)人: | 深圳供电局有限公司 |
| 主分类号: | H01B12/02 | 分类号: | H01B12/02 |
| 代理公司: | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人: | 徐文城 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 超导 电缆 通电 导体 制造 方法 | ||
1.一种超导电缆通电导体制造方法,其特征在于,包括:
提供一柔性骨架;
在所述柔性骨架上螺旋绕制第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上螺旋绕制第一半导电层;
在所述第一半导电层上螺旋绕制A相超导层;
在所述A相超导层上螺旋绕制第二半导电层;
在所述第二半导电层上螺旋绕制第二绝缘层;
在所述第二绝缘层上螺旋绕制第三半导电层;
在所述第三半导电层上螺旋绕制B相超导层;
在所述B相超导层上螺旋绕制第四半导电层;
在所述第四半导电层上螺旋绕制第三绝缘层;
在所述第三绝缘层上螺旋绕制第五半导电层;
在所述第五半导电层上螺旋绕制C相超导层;
在所述C相超导层上螺旋绕制第六半导电层;
在所述第六半导电层上螺旋绕制第四绝缘层;
在所述第四绝缘层上螺旋绕制铜屏蔽层;
在所述铜屏蔽层上螺旋绕制第五绝缘层;
在所述第五绝缘层上螺旋绕制保护层。
2.根据权利要求1所述的一种超导电缆通电导体制造方法,其特征在于,所述第五绝缘层的厚度小于所述第一、第二、第三、第四绝缘层。
3.根据权利要求2所述的一种超导电缆通电导体制造方法,其特征在于,所述A相超导层、B相超导层、C相超导层选用YBCO高温超导带材。
4.根据权利要求3所述的一种超导电缆通电导体制造方法,其特征在于,当所述柔性骨架半径r小于超导带材的临界弯曲半径R时,根据以下公式确定螺旋绕制的绕向角θ:
当所述柔性骨架r大于超导带材的临界弯曲半径R时,根据以下公式确定螺旋绕制的绕向角θ:
其中,∈t为自由热收缩率,∈s为冷却过程应变,∈p螺距变化率,∈r为导体层径向收缩率。
5.根据权利要求4所述的一种超导电缆通电导体制造方法,其特征在于,所述方法还包括:
将多根超导带材焊接形成满足预设超导电缆长度的超导带材;其中相邻两根超导带材的端部进行搭接,并进行低温焊锡钎焊连接。
6.根据权利要求5所述的一种超导电缆通电导体制造方法,其特征在于,相邻两根超导带材搭接的部分的长度为60mm,并且焊锡厚度小于0.1mm。
7.根据权利要求6所述的一种超导电缆通电导体制造方法,其特征在于,所述超导电缆导体通电横截面上的超导带材根数N满足以下条件:
其中,IR为超导电缆的额定电流,Icav为超导带材的平均临界电流,m为设计裕度,m大于等于20%。
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