[发明专利]一种新型太阳能电池及其制备方法

说明书

本发明属于太阳电池技术领域，尤其涉及一种新型太阳能电池及其制备方法，包括衬底，所述的衬底背面由内向外依次沉积有第一SiO₂钝化层和叠层膜，衬底正面由内向外依次沉积有轻扩散区、第二SiO₂钝化层和第二SiNx膜，在轻扩散区下设有重扩散区，金属栅线依次穿过第二SiNx膜、第二SiO₂钝化层和轻扩散区后与重扩散区接触，铝背场依次穿过叠层膜和第一SiO₂钝化层后与衬底接触。本发明轻扩散区和重扩散区独立优化，轻扩散区扩散层较浅，有助于提高开压和电流，重扩散区扩散层很深，保证接触区良好的金属接触，降低Rs，从而全面提高电池效率。

技术领域

本发明属于太阳电池技术领域，涉及一种新型太阳能电池及其制备方法。

背景技术

SE(选择性发射极)技术在PERC电池结构中有助于提高电池开路电压和短路电流同时能保证串阻不上升。金属接触区为重掺杂区域，以便获得较低的金属-半导体欧姆接触电阻；另一方面在没有金属接触的其余区域采用轻掺杂的发射极，以便获得较低的发射极复合电流J0e，从而形成了轻/重掺杂的选择性发射极。

目前常规的工艺流程是低压磷扩散形成磷硅玻璃层，该玻璃层含有较高浓度的P源，利用激光的较高能量形成重扩散区。

发明内容

本发明的目的是针对上述问题，提供一种新型太阳能电池。

本发明的另一目的是提供一种新型太阳能电池的制备方法。

为达到上述目的，本发明采用了下列技术方案：

一种新型太阳能电池，包括衬底，所述的衬底背面由内向外依次沉积有第一SiO₂钝化层和叠层膜，衬底正面由内向外依次沉积有轻扩散区、第二SiO₂钝化层和第二SiNx膜，在轻扩散区下设有重扩散区，金属栅线依次穿过第二SiNx膜、第二SiO₂钝化层和轻扩散区后与重扩散区接触，铝背场依次穿过叠层膜和第一SiO₂钝化层后与衬底接触。

进一步的，所述的叠层膜包括位于第一SiO₂钝化层上的SiON膜和第一SiNx膜。

进一步的，SiON膜厚度为25-70nm，第一SiNx膜厚度为100-150nm，第一SiNx膜折射率为2.1。

进一步的，所述的第一SiO₂钝化层和第二SiO₂钝化层的厚度分别为15-25nm。

进一步的，第二SiNx膜厚度为50-100nm，折射率为2.03-2.2。

进一步的，所述的轻扩散区的方块电阻为150-250ohm/sq，重扩散区厚度为1-3um，宽度为50-100um，方块电阻为10-30ohm/sq。

一种新型太阳能电池的制备方法，以P型直拉单晶硅片为衬底，衬底正面通过高温扩散形成轻扩散区，得到轻发射极，通过涂抹或印刷高浓度含磷液体，并利用激光的高能量实施局部掺杂，形成重扩散区，得到重发射极，衬底背面具有SiO2/SiON/SiNx形成的钝化层，激光开槽后印刷Al浆形成铝背场，衬底正面印刷Ag材料的金属栅线，烧结后形成正背面电极，金属栅线与重扩散区接触。

一种新型太阳能电池的制备方法，选择P型直拉单晶硅片为衬底，衬底正面在低压扩散炉管中扩散形成轻扩散区，扩散温度控制在700-850℃，形成正面轻N型发射极，扩散后方块电阻控制在150-250ohm/sq，

丝网印刷液态高浓度磷源，印刷时采用非金属网版，印刷压力在80-100N，印刷液体厚度在1-3um之间，印刷宽度在50-100um之间，之后在链式烘干炉烘干，烘干温度为120-200℃，烘干时间在10min之内，