[发明专利]光调制器

说明书

本发明提供一种光调制器。光调制器具备输入波导、楔形波导、光分波器、第1分支波导、第2分支波导、第1电极及第2电极，所述输入波导具有能够实现单模的传输的第1宽度。第1分支波导从第1分支波导的输入端至输出端为止具有大于第1宽度的第3宽度。第1分支波导位于从第1分支波导的输入端至输出端为止具有第4宽度的第1带状区域内，第4宽度是第3宽度的2倍。第2分支波导从第2分支波导的输入端至输出端为止具有大于第1宽度的第5宽度。第2分支波导位于从第2分支波导的输入端至输出端为止具有第6宽度的第2带状区域内，第6宽度是第5宽度的2倍。

技术领域

本公开涉及光调制器。

背景技术

专利文献1公开了一种马赫-曾德调制器。

专利文献1：美国专利第9069223号说明书

非专利文献1：Hiroyasu Mawatari et al.,Clarification of thedegradation modes of an InP-based semiconductor MZmodular,InternationalReliability Physics Symposium(IRPS),CD.7,IEEE(2012)

非专利文献2：田中肇他，“InP系多値変調素子の光損傷メカニズムの検討”，2019年电子信息通信学会综合大会，C-4-4

在专利文献1的马赫-曾德调制器中，由多模干涉(MMI：Multi-ModeInterference)耦合器将来自输入波导的光分割成2份。连接于多模干涉耦合器的2个分支波导具有以相互离开的方式延伸的弯曲部以及相互平行地延伸的直线部。对直线部施加用于调制的电压。

为了能够实现单模的传输，需要使各波导的宽度减小。在该情况下，在各波导中传播的光的功率密度变高。另一方面，在将电压施加到分支波导时，芯的光吸收系数变大，所以，构成分支波导的材料有可能劣化(参照非专利文献1、2)。因此，如果在分支波导中传播的光的功率密度变高，则构成分支波导的材料劣化的可能性也变高。因此，为了使功率密度变低，考虑使分支波导的宽度增大。但是，如果使分支波导的宽度增大，则在弯曲部处产生高阶模。

发明内容

本公开提供一种能够在抑制分支波导的材料的劣化的同时抑制高阶模的产生的光调制器。

本公开的一个方面所涉及的光调制器具备：输入波导，具有能够实现单模的传输的第1宽度；楔形波导，具有输入端和输出端，所述输入端连接于所述输入波导，所述输出端具有大于所述第1宽度的第2宽度；光分波器，具有输入端口、第1输出端口及第2输出端口，所述输入端口与所述输出端光耦合；第1分支波导，具有输入端和输出端，该第1分支波导的输入端连接于所述第1输出端口；第2分支波导，具有输入端和输出端，该第2分支波导的输入端连接于所述第2输出端口；第1电极，设置于所述第1分支波导上；以及第2电极，设置于所述第2分支波导上，所述第1分支波导从所述第1分支波导的所述输入端至所述输出端为止具有大于所述第1宽度的第3宽度，所述第1分支波导位于从所述第1分支波导的所述输入端至所述输出端为止具有第4宽度的第1带状区域内，所述第4宽度是所述第3宽度的2倍，所述第2分支波导从所述第2分支波导的所述输入端至所述输出端为止具有大于所述第1宽度的第5宽度，所述第2分支波导位于从所述第2分支波导的所述输入端至所述输出端为止具有第6宽度的第2带状区域内，所述第6宽度是所述第5宽度的2倍。

发明效果

根据本公开，能够提供一种光调制器，其能够在抑制分支波导的材料的劣化的同时抑制高阶模的产生。

附图说明

图1是示意性地示出一个实施方式的光调制器的俯视图。

图2是沿着图1的II-II线的剖视图。

图3是示意性地示出第1变形例的光调制器的一部分的俯视图。