[发明专利]一种背结背接触太阳能电池及其制作方法

说明书

本发明公开了一种背结背接触太阳能电池的制作方法，该方法包括：在N型硅基底的背面上形成隧道氧化层；在所述隧道氧化层上形成图案化pn结；在所述图案化pn结上形成电极。本发明还公开了一种背结背接触太阳能电池。本发明解决了背结背接触太阳能电池的背面载流子复合率较高的问题。

技术领域

本发明涉及太阳能电池制作技术领域，尤其涉及一种能够提高电池的背面钝化效果的电池制作方法。

背景技术

太阳能发电作为一种可再生能源，在社会能源消耗中的占比越来越高。其中，硅基背结背接触太阳能电池因其正面无栅线遮挡，正负极区域全集中在电池背面，因此在装配和集成方面有较大的优势。

但是，现有的背结背接触太阳能电池的背面复合率较高，这会使反向暗饱和电流密度增大，导致电池开路电压降低的问题。

发明内容

针对上述的技术问题，本发明采用了如下的技术方案：

在本发明的一方面提供了一种背结背接触太阳能电池的制作方法，所述制作方法包括：

在N型硅基底的背面上形成隧道氧化层；

在所述隧道氧化层上形成图案化pn结；

在所述图案化pn结上形成电极。

优选地，形成所述图案化pn结的方法包括：

在所述隧道氧化层上形成第一本征硅层；

对所述第一本征硅层进行硼掺杂，以形成掺硼层；

在所述掺硼层上形成掩膜层；

在所述掩膜层和所述掺硼层上进行图案化而形成图案化开槽，以暴露所述隧道氧化层的部分区域；

在所述图案化开槽内形成第二本征硅层，使所述第二本征硅层与所述隧道氧化层进行接触；

对所述第二本征硅层进行磷掺杂，以形成掺磷层；

去除所述掩膜层。

优选地，在所述图案化pn结上形成电极之前，所述制作方法还包括：在所述pn结上形成第一钝化层。

优选地，形成所述电极的方法包括：

在所述第一钝化层上印刷含有腐蚀性溶剂的银浆，使所述银浆刻穿所述第一钝化层后与所述掺磷层和所述掺硼层进行接触；

固化所述银浆，以形成所述电极。

优选地，在所述图案化pn结上形成电极之后，所述制作方法还包括：对所述N型硅基底的正面进行磷掺杂，以形成表面场区。

优选地，形成所述表面场区之后，所述制作方法还包括：在所述表面场区上依序层叠形成第二钝化层和增透层。

优选地，在所述N型硅基底的背面上形成所述隧道氧化层之前，所述制作方法还包括：

将所述N型硅基底浸泡在体积比为2％～5％的氢氧化钠或者氢氧化钾溶液与去离子水的混合溶液中进行抛光；

其中，所述混合溶液的温度为70℃～80℃，抛光时间为3分钟～5分钟。

优选地，所述隧道氧化层由二氧化硅制成。

优选地，所述隧道氧化层采用高温热氧化工艺、硝酸氧化工艺、臭氧氧化工艺、气相沉积工艺中的一种来制作。

在本发明的一方面提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池由上述的制作方法来制作。

本发明提供的制作方法，将钝化接触技术结合在背结背接触太阳能电池的结构中，以此降低了电池背面的光生载流子的复合率，进而提高了电池的光电转换效率。