[发明专利]太阳能电池的制备方法及太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于：

对硅基底进行表面处理；

正面扩散，在硅基底的正面形成扩散层与BSG层；

在硅基底的背面依次制备隧穿层与非晶硅层；

去绕镀，清洗去除绕镀的非晶硅，并保留所述硅基底正面的BSG层；

高温退火；

表面清洗，去除BSG层；

依次进行镀膜与金属化。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述非晶硅层采用LPCVD或PECVD方法进行原位掺杂沉积制得，在所述非晶硅层沉积的同时进行磷元素掺杂。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述制备方法还包括在硅基底背面的非晶硅层上制备掩膜层，再进行去绕镀。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述掩膜层的制备包括采用化学氧化或热氧化或臭氧氧化方法在所述硅基底背面的非晶硅层上生成一层SiO_x膜，控制所述SiO_x膜的厚度介于1～100nm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于：所述“去绕镀”步骤是指采用碱溶液或酸溶液对硅基底进行清洗，其中，所述碱溶液的浓度设置为1～10％，温度设置为30～90℃；所述酸溶液为HF与HNO₃混合溶液，且两者浓度配比HF：HNO₃设置为1：20～1：200。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述制备方法还包括在正面扩散后进行去背结，所述“去背结”步骤包括先采用质量浓度为5％～20％的HF溶液对硅基底背面进行清洗；再采用HF与HNO₃混合溶液对所述硅基底背面进行刻蚀，或，采用KOH或NaOH或TMAH溶液对所述硅基底背面进行刻蚀。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述“表面处理”步骤包括先采用KOH或NaOH或TMAH的水溶液对硅基底进行双面碱制绒，控制所述硅基底表面的金字塔高度介于1～3μm。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述“正面扩散”步骤控制所述硅基底正面进行硼掺杂的扩散层的方阻介于80～150ohm/sq，并使得所述BSG层的厚度为50～200nm。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述“高温退火”步骤的温度设置为850～950℃，时间设置为10～100min。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述“表面清洗”步骤包括依次采用KOH与H₂O₂混合溶液、第一HF溶液、HF与HCl混合溶液、第二HF溶液对硅基底进行清洗，所述第一HF溶液的浓度大于第二HF溶液的浓度。

11.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述镀膜包括在所述硅基底正面依次沉积Al₂O₃膜或SiN_x膜，且在所述硅基底的背面沉积SiN_x膜。

12.一种太阳能电池，其特征在于：所述太阳能电池采用如权利要求1-11任一项所述的制备方法制得。