[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括基板(110)，依次设置在所述基板(110)上的栅极(120)、栅极绝缘层(130)、氧化物半导体层(140)和源漏极金属层(150)，所述源漏极金属层(150)包括间隔设置的源极(151)和漏极(152)，其特征在于，所述氧化物半导体层(140)包括第一氧化物层(141)和层叠设置在所述第一氧化物层(141)上方的第二氧化物层(142)，所述第一氧化物层(141)的含氧量低于所述第二氧化物层(142)；部分所述第一氧化物层(141)从所述第二氧化物层(142)的两侧露出，所述源极(151)和所述漏极(152)相互间隔并分别与从所述第二氧化物层(142)的两侧露出的所述第一氧化物层(141)直接接触连接。

2.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述第一氧化物层(141)的含氧量为0％～50％，所述第二氧化物层(142)的含氧量为4％～60％。

3.根据权利要求3所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述第一氧化物层(141)从所述第二氧化物层(142)的每侧露出的宽度M为1～8微米。

4.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述源极(151)覆盖从所述第二氧化物层(142)的其中一侧露出的所述第一氧化物层(141)并向所述第二氧化物层(142)方向延伸覆盖部分的所述第二氧化物层(142)，所述漏极(152)覆盖从所述第二氧化物层(142)的另一侧露出的所述第一氧化物层(141)并向所述第二氧化物层(142)方向延伸覆盖部分所述第二氧化物层(142)。

5.根据权利要求4所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述源极(151)与所述第二氧化物层(142)的层叠位置以及所述漏极(152)与所述第二氧化物层(142)的层叠位置的宽度N大于或等于1微米。

6.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述第一氧化物层(141)的厚度D1为10～90纳米，所述第二氧化物层(142)的厚度D2为10～90纳米。

7.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述第一氧化物层(141)的宽度X1为10～20微米，所述第二氧化物层(142)宽度X2为4～18微米，所述源极(151)与所述漏极(152)之间的距离为2～8微米，所述第一氧化物层(141)从所述第二氧化物层(142)两侧露出部分的宽度M为1～8微米。

8.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述第一氧化物层(141)和所述第二氧化物层(142)的材料均为金属氧化物。