[发明专利]横向扩散的MOSFET及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一半导体区域，所述第一半导体区域具有第一导电类型；

第二半导体区域，所述第二半导体区域具有第二导电类型；

源极区域，所述源极区域在所述第二半导体区域中；

沟道区域，所述沟道区域在所述第二半导体区域中，横向位于所述源极区域和所述第一半导体区域之间；

栅极电介质层，所述栅极电介质层覆盖于所述沟道区域和所述第一半导体区域的一部分两者之上；

栅极电极，所述栅极电极覆盖于所述栅极电介质层之上；

体接触区域，所述体接触区域在所述第二半导体区域中；以及

共形导电层，所述共形导电层覆盖所述体接触区域的上表面和所述源极区域的侧表面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

接触插塞，所述接触插塞穿过电介质隔离层连接到所述共形导电层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述共形导电层是金属硅化物层。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

漏极区域，所述漏极区域在所述第一半导体区域中。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括：

隔离区域，所述隔离区域在所述第一半导体区域中，横向位于所述漏极区域和所述第二半导体区域之间。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

间隔件，所述间隔件覆盖于所述源极区域之上，具有与所述栅极电极横向相邻的第一侧和垂直对准所述源极区域的侧表面的第二侧。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述体接触区域具有垂直对准所述源极区域的侧表面的第一侧。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述体接触区域的上表面从所述源极区域的顶表面凹陷，深度小于所述源极区域的顶表面与所述源极区域的底表面之间的距离。

9.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

形成覆盖于栅极电介质层之上的栅极电极，所述栅极电介质层覆盖第二半导体区域中的沟道区域和第一半导体区域的一部分两者，其中，所述第一半导体区域具有第一导电类型，并且所述第二半导体区域具有第二导电类型；

将第一类型掺杂剂注入到由硬掩模掩蔽的所述第二半导体区域的暴露部分中，以在所述第二半导体区域中形成源极前体区域；

形成间隔件，所述间隔件覆盖于所述源极前体区域之上并且具有与所述栅极电极横向相邻的第一侧；

通过至少由所述间隔件掩蔽的蚀刻工艺来使得所述源极前体区域中的表面区域凹陷并形成源极区域；

通过至少由所述间隔件掩蔽的所述表面区域注入第二类型掺杂剂，以形成体接触区域；以及

形成共形导电层，所述共形导电层覆盖所述体接触区域的上表面和所述源极区域的侧表面。

10.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

形成覆盖于栅极电介质层之上的栅极电极，所述栅极电介质层覆盖第二半导体区域中的沟道区域和第一半导体区域的一部分两者，其中，所述第一半导体区域具有第一导电类型，并且所述第二半导体区域具有第二导电类型；

形成硬掩模，以提供所述第二半导体区域的暴露部分；

通过由所述硬掩模掩蔽的第一离子注入工艺来掺杂所述第二半导体区域的暴露部分，并形成体接触区域；

通过由所述硬掩模掩蔽的第二离子注入工艺来掺杂所述第二半导体区域的暴露部分，并形成覆盖于所述体接触区域之上的源极前体区域；

形成覆盖于所述源极前体区域之上并且具有与所述栅极电极横向相邻的第一侧的间隔件；

通过至少由所述间隔件掩蔽的蚀刻工艺来去除所述源极前体区域的一部分，以在暴露所述体接触区域的上表面的同时形成源极区域；以及

形成共形导电层，所述共形导电层覆盖所述体接触区域的上表面和所述源极区域的侧表面。