[发明专利]一种基于硅长方体的高方向性横向单向散射实现方法

权利要求书

1.一种基于硅长方体的高方向性横向单向散射实现方法，包括下列步骤：

1）一束径向偏振光（1）经过显微物镜（2）后产生聚焦光场，在焦平面上放置一个硅长方体（3），并使得硅长方体位于偏离焦点的位置；

2）设计硅长方体的长、宽、高，使得磁偶极矩的横向分量、总电偶极矩的纵向分量以及磁四极距垂直于传播轴的平面分量之间的振幅比和相位差满足横向Kerker散射条件；

第一步，计算硅长方体的近场电磁场分布，采用多极矩展开法计算总电偶极矩、磁偶极矩、电四极矩和磁四极矩，并分析这些多极矩在长方体远场散射中的相对贡献；

第二步，调节硅长方体的长、宽、高这三个结构参数以及硅长方体偏离焦点的横向偏移量，使得磁偶极矩的横向分量、总电偶极矩轴向分量以及磁四极距垂直于传播轴的平面分量的相位和振幅在某个波长下满足横向Kerker散射条件；

3）将硅长方体放置在焦平面上的特定位置处，用聚焦径向偏振光激发硅长方体将产生高方向性横向单向散射。

2.根据权利要求1所述的基于硅长方体的高方向性横向单向散射实现方法，其特征在于：光源是激光光源或普通光源。