[发明专利]制造发光显示设备的方法和发光显示设备在审
| 申请号: | 202011082226.2 | 申请日: | 2020-10-12 |
| 公开(公告)号: | CN112652647A | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
| 发明(设计)人: | 朴贵铉;洪泌荀;朴喆远;杉谷耕一;赵亨彬;金慧仁 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;冯志云 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 制造 发光 显示 设备 方法 | ||
本公开涉及制造发光显示设备的方法和发光显示设备。所述方法包括:在导电材料层上形成第一光敏层;通过使用所述第一光敏层作为掩模蚀刻所述导电材料层以形成像素电极;对设置在所述像素电极上的所述第一光敏层进行灰化;形成像素限定层,所述像素限定层覆盖所述像素电极的边缘部分并包括与所述灰化后的第一光敏层重叠的第一开口;去除设置在所述第一开口中的所述灰化后的第一光敏层;在所述像素限定层上形成包括功能层和发射层的中间层;以及在所述中间层上形成相对电极。
本申请要求于2019年10月11日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0126292号韩国专利申请的优先权和权益,上述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
一个或多个实施例涉及显示设备,且更具体地,涉及制造发光显示设备的方法和发光显示设备。
背景技术
与液晶显示设备不同,作为用于显示图像的显示设备的有机发光二极管显示设备具有自发射特性。因此,因为有机发光二极管显示设备不需要单独的光源,所以可以减小有机发光二极管显示设备的厚度和重量。另外,有机发光二极管显示设备可以具有诸如低功耗、高亮度和快速响应时间的高品质特性。
发明内容
如上描述的有机发光二极管显示设备应当具有优异的对比度和亮度,但是在明亮的外部光中,对比度可能差。为了防止这种局限性,可以形成具有特定颜色(例如,黑色等)的像素限定层。由于在形成有色的像素限定层的工艺中出现的残余物,可能产生暗斑。一个或多个实施例可以提供发光显示设备及其制造方法,由此可以防止用于外部光的特性的劣化和由暗斑的产生所导致的缺陷,并且可以简化制造工艺。然而,这些局限性仅是示例,并且本公开的范围不限于此。
附加方面将在随后的描述中进行阐述,并且通过该描述,所述附加方面将部分地是明显的,或者可以通过实践本发明的实施例来获悉所述附加方面。
根据实施例,一种制造发光显示设备的方法包括:在导电材料层上形成第一光敏层;通过使用所述第一光敏层作为掩模蚀刻所述导电材料层以形成像素电极;对设置在所述像素电极上的所述第一光敏层进行灰化;形成像素限定层,所述像素限定层覆盖所述像素电极的边缘部分并包括与所述灰化后的第一光敏层重叠的第一开口;去除设置在所述第一开口中的所述灰化后的第一光敏层;在所述像素限定层上形成包括功能层和发射层的中间层;以及在所述中间层上形成相对电极。
在实施例中,所述形成所述像素限定层可以包括:在所述灰化后的第一光敏层上形成有色材料层;使所述有色材料层的一部分曝光;以及通过使所述有色材料层的所述曝光的部分显影以形成所述第一开口。
所述像素限定层可以包括负性光敏材料。
所述方法还可以包括:在所述形成所述第一开口之后,使所述像素限定层固化。
所述像素限定层还可以包括有色颜料或炭黑。
在实施例中,在平面图中,所述第一开口的形状可以与所述像素电极的形状基本上相同。
在实施例中,所述方法还可以包括:形成薄膜晶体管;以及在所述薄膜晶体管和所述像素电极之间形成绝缘层。所述形成所述绝缘层可以包括:形成用于所述薄膜晶体管与所述像素电极之间的电连接的接触孔,并且所述第一开口可以与所述接触孔重叠。
所述方法还可以包括:形成光学功能层,所述光学功能层包括与所述第一开口重叠的滤色器和与所述滤色器相邻的黑矩阵,其中,所述黑矩阵可以与所述接触孔重叠。
在实施例中,所述方法还可以包括:在所述导电材料层上形成第二光敏层;以及通过使用所述第二光敏层作为掩模蚀刻所述导电材料层以形成布线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





