[发明专利]一种采用可吸收光栅的抗反射激光器

权利要求书

1.一种采用可吸收光栅的抗反射激光器，主要由缓冲层(2)、下层分别限制异质结(3)、有源区(4)、上层分别限制异质结(5)、盖层(8)、接触层(9)、P面金属电极(10)、N面金属电极(1)、高反射膜(11)和增透膜(12)组成；其中缓冲层(2)、下层分别限制异质结(3)、有源区(4)、上层分别限制异质结(5)、盖层(8)和接触层(9)自下而上纵向叠置形成晶圆主体；高反射膜(11)位于晶圆主体的背光端面，增透膜(12)位于晶圆主体的出光端面；P面金属电极(10)位于晶圆主体的上表面，N面金属电极(1)位于晶圆主体的下表面；

其特征是，还进一步增设有衍射光栅层；

衍射光栅层由多个相同的光栅体横向周期性排列形成；每个光栅体均为类梯形，并由激光衍射层(6)和激光吸收层(7)叠置而成，即激光衍射层(6)位于光栅体的下层，而激光吸收层(7)位于光栅体的上层，或者激光衍射层(6)位于光栅体的上层，而激光吸收层(7)位于光栅体的下层；激光衍射层(6)的带隙波长小于激光器的激射波长，激光吸收层(7)的带隙波长大于激光器的激射波长；

衍射光栅层位于盖层(8)的下部，且其下表面与上层分别限制异质结(5)的上表面相贴；或者衍射光栅层位于缓冲层(2)的上部，并其上表面与下层分别限制异质结(3)的下表面相贴。

2.根据权利要求1所述的一种采用可吸收光栅的抗反射激光器，其特征是，激光衍射层(6)由InGaAsP材料制成，激光吸收层(7)由InGaAsP材料或InGaAs材料制成。

3.根据权利要求1所述的一种采用可吸收光栅的抗反射激光器，其特征是，激光衍射层(6)和激光吸收层(7)为晶格匹配材料或应力的范围为±3000ppm的微应变材料。

4.根据权利要求1所述的一种采用可吸收光栅的抗反射激光器，其特征是，衍射光栅层的占空比介于3/10～3/5之间。

5.根据权利要求1所述的一种采用可吸收光栅的抗反射激光器，其特征是，衍射光栅层为一阶衍射光栅或二阶衍射光栅。

6.根据权利要求1所述的一种采用可吸收光栅的抗反射激光器，其特征是，衍射光栅层的长度小于晶圆主体的长度。

7.根据权利要6所述的一种采用可吸收光栅的抗反射激光器，其特征是，衍射光栅层的长度与晶圆主体的长度的比值介于3/10～7/10之间。

8.根据权利要求1或6所述的一种采用可吸收光栅的抗反射激光器，其特征是，衍射光栅层位于晶圆主体的出光端面，且其侧面与增透膜(12)相贴。

9.根据权利要求1所述的一种采用可吸收光栅的抗反射激光器，其特征是，光栅体靠近下层分别限制异质结(3)的下表面或上层分别限制异质结(5)的上表面。

10.根据权利要求1所述的一种采用可吸收光栅的抗反射激光器，其特征是，衍射光栅层的高度也即光栅体的高度为10nm～70nm。