[发明专利]灯板及显示装置有效
| 申请号: | 202011079702.5 | 申请日: | 2020-10-10 |
| 公开(公告)号: | CN112242413B | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
| 发明(设计)人: | 刘凡成;查国伟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/60;H01L33/62;G02F1/13357 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 官建红 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种灯板,其特征在于,所述灯板包括:
基板;
于所述基板上形成的驱动电路层,所述驱动电路层包括第一图案化金属层,所述第一图案化金属层包括多个第一金属构件;
于所述驱动电路层远离所述基板一侧设置的第二图案化金属层,所述第二图案化金属层包括多个第二金属构件以及多个镂空部,每个所述镂空部设置于相邻两个所述第二金属构件之间,多个所述第二金属构件包括多个导电垫;
多个发光器件,位于第二图案化金属层远离所述基板的一侧,每个所述发光器件绑定于相邻两个所述导电垫上;
其中,多个所述第一金属构件的至少部分在所述基板上的正投影与靠近绑定每个所述发光器件的相邻两个所述导电垫的所述镂空部在所述基板上的正投影重合,所述第一图案化金属层的反射率与所述第二图案化金属层的反射率相异。
2.根据权利要求1所述的灯板,其特征在于,多个所述第一金属构件中的至少部分在所述基板上的正投影与多个所述镂空部在所述基板上的正投影完全重合。
3.根据权利要求1所述的灯板,其特征在于,一个所述第一金属构件与一个所述导电垫连接且与所述镂空部重叠。
4.根据权利要求1或3所述的灯板,其特征在于,所述第二图案化金属层的反射率大于所述第一图案化金属层的反射率。
5.根据权利要求4所述的灯板,其特征在于,所述第二图案化金属层远离所述基板的金属层的制备材料选自铝、银中的一种,所述第一图案化金属层远离所述基板的金属层的制备材料为钛。
6.根据权利要求1或3所述的灯板,其特征在于,所述第一图案化金属层的反射率与所述第二图案化金属层的反射率之间的差值绝对值大于或等于10%。
7.根据权利要求1所述的灯板,其特征在于,第二图案化金属层中的多个所述镂空部的面积与多个所述镂空部的面积和多个所述第二金属构件的面积之和的比值百分数大于0%且小于1%。
8.根据权利要求1所述的灯板,其特征在于,多个所述第二金属构件还包括多个走线,
相邻两个所述走线之间的所述镂空部的宽度为1微米-10微米,绑定同一所述发光器件的相邻两个所述导电垫之间的所述镂空部的宽度为1微米-200微米,每个所述导电垫和与所述导电垫相邻的所述走线之间的所述镂空部的宽度为1微米-50微米。
9.根据权利要求8所述的灯板,其特征在于,多个所述第一金属构件包括源电极以及漏电极,绑定同一所述发光器件的相邻两个所述导电垫中的一者与一个所述走线电性连接,绑定同一所述发光器件的相邻两个所述导电垫中的另一者与所述漏电极电性连接。
10.根据权利要求1所述的灯板,其特征在于,所述灯板还包括透明保护层,所述透明保护层覆盖所述第二图案化金属层且使所述导电垫暴露。
11.根据权利要求1所述的灯板,其特征在于,所述驱动电路层还包括有源层、栅极绝缘层、栅极以及层间绝缘层,
所述有源层设置于所述基板上;
所述栅极绝缘层位于所述有源层远离所述基板的一侧;
所述栅极设置于所述栅极绝缘层远离所述有源层的一侧且对应所述有源层设置;
所述层间绝缘层设置于所述栅极远离所述栅极绝缘层的一侧;
所述第一图案化金属层设置于所述层间绝缘层远离所述栅极的一侧。
12.根据权利要求1所述的灯板,其特征在于,所述灯板还包括设置于所述第一图案化金属层和所述第二图案化金属层之间的缓冲层,所述缓冲层的制备材料选自氮化硅、氧化硅中的至少一种,所述缓冲层的厚度为0.1微米-5微米。
13.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求1-12任一项所述的灯板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





