[发明专利]IGBT驱动拓扑电路及其软开关电路有效
| 申请号： | 202011079169.2 | 申请日： | 2020-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN112260525B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 吴文臣;万顺茂;臧树星;崔石磊;冯新建;陈高 | 申请（专利权）人： | 上海金脉电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/08 | 分类号： | H02M1/08;H03K17/567 |
| 代理公司： | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人： | 宋小光 |
| 地址： | 200030 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | igbt 驱动 拓扑 电路 及其 开关电路 | ||
1.一种IGBT驱动拓扑电路，其特征在于，包括：
IGBT管，具有集电极、栅极以及发射极 ；
接入所述IGBT管的栅极的驱动脉冲；
正极与所述IGBT管的集电极连接的电源，所述电源的负极与所述IGBT管的发射极 连接；
接入所述电源的正极与所述IGBT管的集电极之间的负载；以及
接入所述负载与所述IGBT管的发射极 之间的软开关电路，用于控制所述IGBT管在开关过程中的电流和电压的变化率；
所述软开关电路包括接入所述负载与所述IGBT管的集电极之间的电感和接入所述IGBT管的集电极与所述IGBT管的发射极 之间的电容；
所述软开关电路还包括正极连接于所述电容和所述IGBT管的集电极之间的二极管，所述二极管的负极连接于所述负载和所述电源的正极之间。
2.如权利要求1所述的IGBT驱动拓扑电路，其特征在于，所述电容为可调电容，所述可调电容包括多个调节档位，每一档位与IGBT的开关损耗及开关速度相对应。
3.如权利要求1所述的IGBT驱动拓扑电路，其特征在于，还包括一端连接于所述驱动脉冲和所述IGBT管的栅极之间的寄生电容，所述寄生电容的另一端连接于所述IGBT管的发射极 和所述电源的负极之间。
4.如权利要求1所述的IGBT驱动拓扑电路，其特征在于，所述驱动脉冲和所述IGBT管的栅极之间还连接有第一电阻和第二电阻，所述第一电阻和所述第二电阻并联。
5.一种IGBT驱动拓扑电路的软开关电路，与IGBT管连接，其特征在于，所述软开关电路包括：
电感，一端与所述IGBT管的集电极连接，另一端与一电源的正极连接；以及
电容，一端与所述IGBT管的集电极连接，另一端与所述IGBT管的发射极 连接，所述IGBT管的发射极 与所述电源的负极连接；
还包括正极连接于所述电容和所述IGBT管的集电极之间的二极管，所述二极管的负极连接于所述电感和所述电源的正极之间。
6.如权利要求5所述的软开关电路，其特征在于，所述电容为可调电容，所述可调电容包括多个调节档位，每一档位与IGBT的开关损耗及开关速度相对应。
7.如权利要求5所述的软开关电路，其特征在于，所述电源的正极与所述电感之间还连接有负载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海金脉电子科技有限公司，未经上海金脉电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011079169.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种光纤光栅传感器的封装装置
- 下一篇：一种多功能校板机
- 同类专利
- 专利分类
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
